Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Investigation of superlattice structure parameters using quasi-forbidden reflections

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Kladko, V.P.
dc.contributor.author Datsenko, L.I.
dc.contributor.author Korchovyi, A.A.
dc.contributor.author Machulin, V.F.
dc.contributor.author Lytvyn, P.M.
dc.contributor.author Shalimov, A.V.
dc.contributor.author Kuchuk, A.V.
dc.contributor.author Kogutyuk, P.P.
dc.date.accessioned 2017-05-28T14:28:06Z
dc.date.available 2017-05-28T14:28:06Z
dc.date.issued 2003
dc.identifier.citation Investigation of superlattice structure parameters using quasi-forbidden reflections / V.P. Kladko, L.I. Datsenko, A.A. Korchovyi, V.F. Machulin, P.M. Lytvyn, A.V. Shalimov, A.V. Kuchuk, P.P. Kogutyuk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2003. — Т. 6, № 3. — С. 392-396. — Бібліогр.: 7 назв. — англ. uk_UA
dc.identifier.issn 1560-8034
dc.identifier.other PACS: 68.65.Cd
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118048
dc.description.abstract We studied possibilities of a nondestructive X-ray technique for testing short-period strained GaAs-AlAs superlattices. An analysis of the quasi-forbidden 200 reflections may be used for determination of superlattice layer structure parameters and sublayer thickness. The effect of irregularity of superlattice transition region on X-ray diffraction reflection curves and elastic strains in layers was studied. uk_UA
dc.language.iso en uk_UA
dc.publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.title Investigation of superlattice structure parameters using quasi-forbidden reflections uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис