Показати простий запис статті

dc.contributor.author Kovalyuk, Z.D.
dc.contributor.author Khandozhko, A.G.
dc.contributor.author Lastivka, G.I.
dc.contributor.author Samila, A.P.
dc.date.accessioned 2017-05-26T12:31:29Z
dc.date.available 2017-05-26T12:31:29Z
dc.date.issued 2011
dc.identifier.citation The electric field gradient asymmetry parameter in InSe / Z.D. Kovalyuk, A.G. Khandozhko, G.I. Lastivka, A.P. Samila // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2011. — Т. 14, № 2. — С. 164-166. — Бібліогр.: 8 назв. — англ. uk_UA
dc.identifier.issn 1560-8034
dc.identifier.other PACS 76.60.Gv
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117706
dc.description.abstract The complex NQR spectra of ¹¹⁵In caused by presence of structural defects called polytypes are observed in a monocrystalline InSe sample. Multiple ratio of average frequencies of NQR spectra that correspond to four resonance transitions of quadrupole nuclii with spins I = 9/2 testifies to existence of axial symmetry of the electric field gradient in In nucleus positions inside the InSe crystal structure. The latter is confirmed by the dependence of the NQR spectrum amplitude on the angle between the main crystal axis c and vector of high-frequency field H₁. However, presence of a residual intensity in the spectra at c || Н₁ can indicate the existence of crystal blocks in bulk of the sample with weak angular misorientation. uk_UA
dc.language.iso en uk_UA
dc.publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.title The electric field gradient asymmetry parameter in InSe uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис