Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Учёт рассеяния в обобщённой модели транспорта электронов в микро- и наноэлектронике

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Кругляк, Ю.А.
dc.date.accessioned 2017-05-25T13:22:09Z
dc.date.available 2017-05-25T13:22:09Z
dc.date.issued 2016
dc.identifier.citation Учёт рассеяния в обобщённой модели транспорта электронов в микро- и наноэлектронике / Ю.А. Кругляк // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2016. — Т. 14, № 1. — С. 27-45. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. uk_UA
dc.identifier.issn 1816-5230
dc.identifier.other PACS: 72.10.-d, 72.20.Dp, 72.20.Fr, 73.23.-b, 73.63.-b, 85.35.-p
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117590
dc.description.abstract При описании транспорта электронов по проводнику в диффузионном режиме важную роль играет средняя длина свободного обратного рассеяния λ, которая определяет коэффициент прохождения T. Для более глубокого понимания того, как средняя скорость электронов и среднее время рассеяния определяют величину λ, качественно рассматривается рассеяние носителей тока и тепла в транспортной модели Ландауэра—Датты—Лундстрома (ЛДЛ) по ходу изменения времён рассеяния в процессе столкновений. На примере 1D-проводника выводится базовое соотношение между коэффициентом прохождения T и средней длиной свободного пробега λ. Устанавливается связь между λ и временем импульсной релаксации τm для проводников разной размерности. Даётся оценка усреднённого значения длины свободного пробега из экспериментальных измерений через коэффициент диффузии и устанавливается связь длины свободного пробега с подвижностью. В качестве примера анализируются экспериментальные данные для полевого транзистора Si MOSFET в разных приближениях в рамках транспортной теории ЛДЛ с привлечением моделей различной достоверности. uk_UA
dc.description.abstract При описі транспорту електронів по провіднику в дифузійному режимі важливу роль відіграє середня довжина вільного зворотнього розсіяння λ, яка визначає коефіцієнт проходження T. Для більш глибокого розуміння того, як середня швидкість електронів і середній час розсіяння визначають величину λ, якісно розглядається розсіяння носіїв струму та тепла у транспортному моделю Ландауера—Датти—Лундстрома (ЛДЛ) по ходу зміни часів розсіяння в процесі зіткнень. На прикладі 1D-провідника виводиться базове співвідношення між коефіцієнтом проходження і середньою довжиною вільного пробігу λ. Встановлюється зв'язок між λ і часом τm імпульсної релаксації для провідників різної вимірности. Дається оцінка усередненого значення довжини вільного пробігу з експериментальних мірянь через коефіцієнт дифузії і встановлюється зв'язок довжини вільного пробігу з рухливістю. В якості прикладу аналізуються експериментальні дані для польового транзистора Si MOSFET в різних наближеннях у рамках транспортної теорії ЛДЛ із залученням моделів різної вірогідности. uk_UA
dc.description.abstract When describing the transport of electrons through a conductor in the diffusion regime, an important role is played by the average mean free path λ, which determines the transmission coefficient T. For a deeper understanding of how the average electron velocity and average scattering time, which determine the magnitude of λ, both the scattering of current carriers and the heat transport are qualitatively described within the Landauer—Datta—Lundstrom (LDL) model in the course of change of scattering times in the process of collisions. The basic relationship between the transmission coefficient and the average mean free path is proved for 1D resistor as the simplest example. A connection is established between λ and the time τm of momentum relaxation for conductors of different dimensions. There is given an estimation of the averaged values for the mean free path λ from experimental measurements using the diffusion coefficient, and the connection between the mean free path and mobility is established. As an example, the experimental data for Si MOSFET at different approximations along the LDL theory of transport involving models of different accuracy are analysed. uk_UA
dc.language.iso ru uk_UA
dc.publisher Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
dc.title Учёт рассеяния в обобщённой модели транспорта электронов в микро- и наноэлектронике uk_UA
dc.title.alternative An Account for Scattering in the Generalized Model of Transport of Electrons in Micro- and Nanoelectronics uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис