Влияние γ-облучения на параметры локализованных состояний в монокристаллах p-InSe и n-InSe<Sn>

Abstract

Установлено, что γ-облучение монокристаллов р-InSe и n-InSe<Sn> (0,2 и 0,4 мол.% Sn) дозой Dγ = 100 крад приводит к существенному изменению параметров локализованных в запрещенной зоне состояний: к увеличению плотности локализованных вблизи уровня Ферми состояний и их энергетическому уплотнению, уменьшению среднего расстояния прыжков и увеличению концентрации глубоких ловушек, ответственных за прыжковую проводимость. Определены значения концентрации радиационных дефектов в монокристаллах р-InSe (5,18·10¹⁷ см⁻³) и n-InSe<Sn> (2,48·10¹⁷– 2,71·10¹⁸ cм⁻³).

Встановлено, що γ-опромінення монокристалів р-InSe та n-InSe<Sn> (0,2 та 0,4 мол.% Sn) дозою Dγ = 100 крад приводить до істотної зміни параметрів локалізованих у забороненій зоні станів: до збільшення щільності локалізованих поблизу рівня Фермі станів і їх енергетичного ущільнення, зменшення середньої відстані стрибків і збільшення концентрації глибоких уловлювачів, які відповідальні за стрибкову провідність. Визначено значення концентрації радіаційних дефектів у монокристалах р-InSe (5,18·10¹⁷ см⁻³) та n-InSe<Sn> (2,48·10¹⁷– 2,71·10¹⁸ cм⁻³).

It is revealed that the γ-irradiation Dγ = 100 krad of p-InSe and n-InSe<Sn> (0.2 and 0.4 mol.% Sn) single crystals leads to significant changes of localized states parameters. After the γ-irradiation the density of states near the Fermi level is increased, but their energy spread and the average jump distance are decreased. The concentrations of radiation-induced defects are estimated for p-InSe (5,18·10¹⁷ см⁻³) and n-InSe<Sn> (2,48·10¹⁷– 2,71·10¹⁸ cм⁻³) single crystals.