Показати простий запис статті
dc.contributor.author |
Khotkevych, N.V. |
|
dc.contributor.author |
Kolesnichenko, Yu.A. |
|
dc.contributor.author |
van Ruitenbeek, J.M. |
|
dc.date.accessioned |
2017-05-21T16:06:22Z |
|
dc.date.available |
2017-05-21T16:06:22Z |
|
dc.date.issued |
2012 |
|
dc.identifier.citation |
Conductance of a STM contact on the surface of a thin film / N.V. Khotkevych, Yu.A. Kolesnichenko, J.M. van Ruitenbeek // Физика низких температур. — 2012. — Т. 38, № 6. — С. 644-652. — Бібліогр.: 32 назв. — англ. |
uk_UA |
dc.identifier.issn |
0132-6414 |
|
dc.identifier.other |
PACS: 74.55.+v, 85.30.Hi, 73.50.–h |
|
dc.identifier.uri |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117243 |
|
dc.description.abstract |
The conductance of a contact, having a radius smaller than the Fermi wave length, on the surface of a thin
metal film is investigated theoretically. It is shown that quantization of the electron energy spectrum in the film
leads to a step-like dependence of differential conductance G(V) as a function of applied bias eV. The distance
between neighboring steps in eV equals the energy level spacing due to size quantization. We demonstrate that a
study of G(V) for both signs of the voltage maps the spectrum of energy levels above and below Fermi surface in
scanning tunneling experiments. |
uk_UA |
dc.language.iso |
en |
uk_UA |
dc.publisher |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
uk_UA |
dc.relation.ispartof |
Физика низких температур |
|
dc.subject |
Электронные свойства проводящих систем |
uk_UA |
dc.title |
Conductance of a STM contact on the surface of a thin film |
uk_UA |
dc.type |
Article |
uk_UA |
dc.status |
published earlier |
uk_UA |
Файли у цій статті
Ця стаття з'являється у наступних колекціях
Показати простий запис статті