Показати простий запис статті
dc.contributor.author |
Юсупов, А. |
|
dc.contributor.author |
Адамбаев, К. |
|
dc.contributor.author |
Тураев, З.З. |
|
dc.contributor.author |
Алиев, С.Р. |
|
dc.date.accessioned |
2017-05-18T18:34:58Z |
|
dc.date.available |
2017-05-18T18:34:58Z |
|
dc.date.issued |
2016 |
|
dc.identifier.citation |
Механизм токопереноса в гетеропереходах p-Cu₂ZnSnS₄/n-Si / А. Юсупов, К. Адамбаев, З.З. Тураев, С.Р. Алиев // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2016. — Т. 1, № 3. — С. 246-250 . — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
uk_UA |
dc.identifier.issn |
2519-2485 |
|
dc.identifier.uri |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116999 |
|
dc.description.abstract |
Изучены электрические свойства анизотипных гетеропереходов р-Cu₂ZnSnS₄/n-Si, полученных сульфиризацией базовых металлических слоев, предварительно напыленных на кремниевую подложку. Обсуждаются вольт-амперные характеристики и установлены доминирующие механизмы токопереноса: при прямых напряжениях (3kT/e < V < 0,7 эВ) преобладают туннельно-рекомбинационные процессы с участием дефектных состояний на границе раздела гетероперехода, при увеличении напряжения (V > 0,8 В) доминирует туннельный механизм Ньюмена. Обратные токи через исследуемые гетеропереходы анализировались в рамках туннельного механизма токопереноса. |
uk_UA |
dc.description.abstract |
Вивчено електричні властивості анізотипних гетеропереходів р-Cu₂ZnSnS₄/n-Si, отриманих сульфіризацією базових металевих шарів, попередньо нанесених на кремнієву підкладинку. Обговорюються вольт-амперні характеристики і встановлено домінуючі механізми струмоперенесення: при прямих напругах (3kT/e < V < 0,7 еВ) переважають тунельно-рекомбінаційні процеси за участю дефектних станів на межі поділу гетеропереходу, при збільшенні напруги (V > 0,8 В) домінує тунельний механізм Ньюмена. Зворотні струми через досліджені гетеропереходи аналізувалися в рамках тунельного механізму струмоперенесення. |
uk_UA |
dc.description.abstract |
Studied the electrical properties of heterojunctions anizo-type p-Cu₂ZnSnS₄/n-Si, received sulfurization base metal layers previously deposited on a silicon substrate. We discuss the current-voltage characteristics and established the dominant mechanism of current-voltage direct at (3kT/e < V < 0.7 eV) dominated tunnel-recombination processes involving defective conditions at the interface of heterojunction, increasing the voltage (V > 0.8 V). Newman dominated tunneling mechanism. Reverse current through the studied heterojunctions analyzed in the framework of current-tunneling mechanism. |
uk_UA |
dc.language.iso |
ru |
uk_UA |
dc.publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
uk_UA |
dc.relation.ispartof |
Журнал физики и инженерии поверхности |
|
dc.title |
Механизм токопереноса в гетеропереходах p-Cu₂ZnSnS₄/n-Si |
uk_UA |
dc.title.alternative |
Механізм струмоперенесення у гетеропереходах p-Cu₂ZnSnS₄/n-Si |
uk_UA |
dc.title.alternative |
Mechanism of current transport in heterojunctions p-Cu₂ZnSnS₄/n-Si |
uk_UA |
dc.type |
Article |
uk_UA |
dc.status |
published earlier |
uk_UA |
dc.identifier.udc |
621.315.592 |
|
Файли у цій статті
Ця стаття з'являється у наступних колекціях
Показати простий запис статті