Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Изменение потенциальных барьеров низкоразмерных тонких пленок p-CdTe в условиях внешних воздействий

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Алимов, Н.Э.
dc.contributor.author Зайнолобиддинова, С.М.
dc.contributor.author Отажонов, С.М.
dc.contributor.author Халилов, М.М.
dc.contributor.author Юсупова, Д.А.
dc.contributor.author Якубова, Ш.
dc.date.accessioned 2017-05-16T06:23:21Z
dc.date.available 2017-05-16T06:23:21Z
dc.date.issued 2016
dc.identifier.citation Изменение потенциальных барьеров низкоразмерных тонких пленок p-CdTe в условиях внешних воздействий / Н.Э. Алимов, С.М. Зайнолобиддинова, С.М. Отажонов, М.М. Халилов, Д.А. Юсупова, Ш. Якубова // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2016. — Т. 1, № 1. — С. 52-56. — Бібліогр.: 3 назв. — рос. uk_UA
dc.identifier.issn 2519-2485
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116808
dc.description.abstract Изучены спектры тока короткого замыкания в структуре p-CdTe-SiO₂-Si в зависимости от величины внешнего воздействия. Наблюдается смещение спектров в коротковолновую область, вследствие чего в этих структурах изменяются энергии оптической активации глубокого уровня. Предлагается модель для распределения потенциала, деформирующего пространственное и энергетическое распределение носителя. uk_UA
dc.description.abstract Вивчені спектри струму короткого замикання в структурі p-CdTe-SiO₂-Si в залежності від величини зовнішнього впливу. Спостерігається зсув спектрів у короткохвильову область, внаслідок чого в цих структурах змінюються енергії оптичної активації глибокого рівня. Пропонується модель для розподілу потенціалу, що деформує просторовий та енергетичний розподіли носія. uk_UA
dc.description.abstract The spectors of short curcuit current in p-CdTe-SiO₂-Si structure according to the magnitude of external crown discharge in static rejime have been investigated. It`s observed the shift of spectors it the short-wave area due to the energy of optic activation of deep level has changed. The model for the distribution of spatial deformulating potential and energetic distribution of carriers is offered. uk_UA
dc.language.iso ru uk_UA
dc.publisher Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Журнал физики и инженерии поверхности
dc.title Изменение потенциальных барьеров низкоразмерных тонких пленок p-CdTe в условиях внешних воздействий uk_UA
dc.title.alternative Змінювання потенційних бар’єрів низькорозмірних тонких плівок p-CdTe в умовах зовнішніх впливів uk_UA
dc.title.alternative Changes of potential barriers of low-dimensional thin film p-CdTe conditions of external influences uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA
dc.identifier.udc 621.315.593


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис