Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Диодные структуры и электрические свойства пленок ZnO, полученных методом атомного послойного осаждения

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Семикина, Т.В.
dc.date.accessioned 2017-05-15T15:13:52Z
dc.date.available 2017-05-15T15:13:52Z
dc.date.issued 2016
dc.identifier.citation Диодные структуры и электрические свойства пленок ZnO, полученных методом атомного послойного осаждения / Т.В. Семикина // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2016. — Вип. 51. — С. 150-157. — Бібліогр.: 19 назв. — рос. uk_UA
dc.identifier.issn 0233-7577
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116792
dc.description.abstract Разработаны и представлены технологические режимы, позволяющие получать ZnO пленки с концентрацией носителей порядка 10¹⁶–10¹⁷см⁻³ методом атомного послойного осаждения (АПО). Проанализированы зависимости концентрации электронов от технологических режимов. Показаны возможности технологии АПО для получения структур с полупроводниковыми ZnO пленками и органическими материалами, а также преимущества использования АПО в прозрачной электронике. Приведен обзор результатов создания гомо- и гетеропереходов на основе полученных полупроводниковых пленок ZnO. Выпрямляющие свойства исследованных p-n переходов демонстрируют перспективы их применения в прозрачной электронике. uk_UA
dc.description.abstract Technological regimes for growing ZnO films with the carrier concentrations 10¹⁶…10¹⁷ cm⁻³ by using atomic layer deposition method (ALD) have been studied and developed. The dependences of electron concentration on the technological regimes have been analyzed. Demonstrated have been ALD method capabilities for preparing the structures with semiconductor ZnO films and organic materials as well as ALD advantages for application in transparent electronics. The results of creation of homo- and heterojunctions based on the obtained semiconductor ZnO films have been presented. The rectifying properties of the studied p-n junctions demonstrate their perspectives for application in transparent electronics. uk_UA
dc.description.sponsorship Автор благодарит Фонд Мианевского и профессора М. Годлевского за возможность проведения научной работы в Институте физики Польской Академии Наук (Варшава). Работа была частично профинансирована европейским региональным фондом развития в рамках рационализаторского экономического гранта (POIG.01.01.02-00-108/09). uk_UA
dc.language.iso ru uk_UA
dc.publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
dc.title Диодные структуры и электрические свойства пленок ZnO, полученных методом атомного послойного осаждения uk_UA
dc.title.alternative Diode structures and electrical properties of ZnO films grown using the atomic layer deposition method uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA
dc.identifier.udc 537.311.322; 539.232; 621.382.2


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис