Розподіл нерівноважних носіїв заряду в структурі макропористого кремнію при їх однорідній генерації по об’єму зразка

Abstract

Досліджено розподіл концентрації нерівноважних неосновних носіїв заряду в структурах макропористого кремнію. Показано, що при збільшенні глибини макропор до 10 мкм концентрація нерівноважних носіїв заряду різко зменшується як між порами, так і в монокристалічному шарі під порами. Шляхом розрахунку показано, що при глибині макропор від 100 до 200 мкм концентрація нерівноважних носіїв заряду між макропорами майже не змінюється. Проаналізовано розподіл безрозмірної концентрації нерівноважних неосновних носіїв заряду між макропорами та у монокристалічному шарі при зменшенні товщини монокристалічного шару та при швидкостях поверхневої рекомбінації від 0,1 до 100 м/с.

Distribution of non-equilibrium minority charge carrier concentration in macroporous silicon structures has been investigated. It has been shown that non-equilibrium charge carrier concentration sharply decreases both between pores and in monocrystalline layer under pores with increasing the macropore depth to 10 μm. Via calculations, it has been shown that the concentration of non-equilibrium charge carriers between macropores hardly changes when the depth of macropores ranges from 100 to 200 μm. The authors have analyzed the distribution of dimensionless concentration of non-equilibrium charge carriers between macropores and in monocrystalline layer when the thickness of the monocrystalline layer is decreased and the values of the surface recombination velocity varies from 0.1 to 100 m/s.