Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Зіставлення електрофізичних властивостей кристалів кремнію, легованих домішкою фосфору крізь розплав і методом ядерної трансмутації
Репозиторій DSpace/Manakin
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
| dc.contributor.author | Баранський, П.І. | |
| dc.contributor.author | Гайдар, Г.П. | |
| dc.date.accessioned | 2017-05-14T20:33:09Z | |
| dc.date.available | 2017-05-14T20:33:09Z | |
| dc.date.issued | 2015 | |
| dc.identifier.citation | Зіставлення електрофізичних властивостей кристалів кремнію, легованих домішкою фосфору крізь розплав і методом ядерної трансмутації / П.І. Баранський, Г.П. Гайдар // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2015. — Вип. 50. — С. 73-78. — Бібліогр.: 9 назв. — укр. | uk_UA |
| dc.identifier.issn | 0233-7577 | |
| dc.identifier.uri | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116752 | |
| dc.description.abstract | Проведено порівняльний аналіз електрофізичних властивостей кристалів кремнію n-типу, легованих домішкою фосфору двома різними способами (крізь розплав і методом ядерної трансмутації). Показано, що при вивченні кінетичних ефектів трансмутаційно легований кремній не можна ототожнювати з подібним кристалом n-Si, легованим домішкою фосфору крізь розплав. | uk_UA |
| dc.description.abstract | A comparative analysis of the electrophysical properties of n-type silicon crystals, doped with phosphorus in two different ways (through the melt and by using nuclear transmutation), has been carried out. It has been shown that when studying the kinetic effects, transmutation doped silicon cannot be identified with a similar n-Si crystal doped with phosphorus through the melt. | uk_UA |
| dc.language.iso | uk | uk_UA |
| dc.publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України | uk_UA |
| dc.relation.ispartof | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника | |
| dc.title | Зіставлення електрофізичних властивостей кристалів кремнію, легованих домішкою фосфору крізь розплав і методом ядерної трансмутації | uk_UA |
| dc.title.alternative | Comparison of the electrophysical properties of silicon crystals doped with phosphorus through the melt and by using the method of nuclear transmutation | uk_UA |
| dc.type | Article | uk_UA |
| dc.status | published earlier | uk_UA |
| dc.identifier.udc | 621.315.592 |
