Фотолітографія на реверсивних та перехідних фотостимульованих структурних перетвореннях у ХСН (огляд)

Abstract

Описано розроблені фотолітографічні процеси на базі реверсивних та перехідних фотоструктурних змін у відпалених плівках халькогенідних скловидних напівпровідників (ХСН). Показано, що негативні протравлювачі на основі амінів розчиняють експоновані ділянки відпалених халькогенідних плівок, тобто діють як позитивні протравлювачі. Представлено переваги нових процесів над традиційними. Наведено приклади різноманітних мікрорельєфних структур, виготовлених з використанням нових технологій, та можливості їх застосування. Розглянуто фізичні механізми фотостимульованих структурних перетворень, що приводять до зміни розчинності плівок ХСН у селективних протравлювачах.

The developed photolithographic processes based on reversible and transient photostimulated structural changes in annealed chalcogenide glass (ChG) layers have been presented. It has been shown that negativeaction etchants containing amines dissolve illuminated portions of annealed chalcogenide films, i.e., act as positive etchants. Advantages of the new processes over the traditional ones and examples of various microrelief structures produced using these new technologies as well as possibilities of their application have been shown. Physical mechanisms of photostimulated structural changes leading to changes in solubility of ChG films in selective etching solutions have been considered.