Показати простий запис статті
dc.contributor.author |
Баранський, П.І. |
|
dc.contributor.author |
Гайдар, Г.П. |
|
dc.date.accessioned |
2017-05-14T14:47:58Z |
|
dc.date.available |
2017-05-14T14:47:58Z |
|
dc.date.issued |
2013 |
|
dc.identifier.citation |
Фізичні фактори, що зумовлюють анізотропію термоерс і анізотропію рухливості в багатодолинних напівпровідниках / П.І. Баранський, Г.П. Гайдар // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2013. — Вип. 48. — С. 54-59. — Бібліогр.: 20 назв. — укр. |
uk_UA |
dc.identifier.issn |
0233-7577 |
|
dc.identifier.uri |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116726 |
|
dc.description.abstract |
Розглянуто фізичні чинники, що забезпечують появу анізотропії термоЕРС у багатодолинних напівпровідниках за умов направленої пружної деформації, а також зв’язки, які існують між параметрами анізотропії термоЕРС. |
uk_UA |
dc.description.abstract |
This work devoted to consideration of the physical factors which provide the appearance of the anisotropy of thermoelectromotive in the multivalley semiconductors in a conditions of the directed elastic deformation, as well as to establishment of the bond that exists between the parameters of the anisotropy of thermoelectromotive and the anisotropy of mobility |
uk_UA |
dc.language.iso |
uk |
uk_UA |
dc.publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
uk_UA |
dc.relation.ispartof |
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
|
dc.title |
Фізичні фактори, що зумовлюють анізотропію термоерс і анізотропію рухливості в багатодолинних напівпровідниках |
uk_UA |
dc.title.alternative |
Physical factors that cause the anisotropy of thermoelectromotive and the anisotropy of mobility in multivalley semiconductors |
uk_UA |
dc.type |
Article |
uk_UA |
dc.status |
published earlier |
uk_UA |
dc.identifier.udc |
621.315.592 |
|
Файли у цій статті
Ця стаття з'являється у наступних колекціях
Показати простий запис статті