Зворотні ВАХ та механізми протікання струму в InAs-фотодіодах

Abstract

Досліджено механізми протікання струму у разі зворотних напруг зміщення в InAs p–n-переходах, виготовлених дифузією кадмію в підкладки n-типу провідності. Показано, що в інтервалі температур 162–291 К і за напруг зворотного зміщення ≤0,4 В спостерігається дифузійний механізм протікання струму. За нижчих температур Т < 162 К у дослідженому діапазоні напруг зміщення переважає тунельний струм. Запропоновано модель протікання зворотного тунельного струму за участю протяжних локальних дефектів, що перетинають активну область p–n-переходів, яка задовільно пояснює експериментальні результати.

The current transport mechanisms are investigated in InAs p-n-junctions, prepared by cadmium diffusion into substrates of n-type conductivity. It is shown that the diffusion current is observed at reverse bias voltages ≤0.4 in the temperature interval 162-291 К. At lower temperatures T < 162 K at the reverse biases used in the investigation the tunneling current dominantes. A model of the tunneling current via extended defects intersecting the active region of p-n-junctions is proposed, which satisfactorily explains experimental results.