Показати простий запис статті
dc.contributor.author |
Венгер, Е.Ф. |
|
dc.contributor.author |
Готовы, И. |
|
dc.contributor.author |
Шеховцов, Л.В. |
|
dc.date.accessioned |
2017-05-13T20:40:56Z |
|
dc.date.available |
2017-05-13T20:40:56Z |
|
dc.date.issued |
2011 |
|
dc.identifier.citation |
Латеральная фотоЭДС в неоднородном контакте Шоттки / Е.Ф. Венгер, И. Готовы, Л.В. Шеховцов // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2011. — Вип. 46. — С. 88-94. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
uk_UA |
dc.identifier.issn |
0233-7577 |
|
dc.identifier.uri |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116702 |
|
dc.description.abstract |
Исследованы спектральные характеристики латеральной фотоЭДС, которая генерируется модулированным монохроматическим светом в образцах контакта Шоттки NbN–GaAs с содержанием азота в пленке нитрида ниобия 5 %. Для образцов, отожженных при Т = 900 °С, характерно изменение знака фотоЭДС в области края поглощения GaAs. Кривые распределения ЭДС знакопеременные и имеют нелинейный характер. Определено, что отжиг при Т = 950 °С приводит к увеличению относительной неоднородности толщины области истощения и отсутствию изменения знака спектральной характеристики фотоЭДС. При этом сохраняется значительное влияние неоднородности изгиба зон в области истощения гетеросистемы на характер распределения латеральной ЭДС. |
uk_UA |
dc.description.abstract |
Spectral characteristics of lateral photo-emf produced by modulated monochromatic illumination in NbN GaAs Schottky contacts (with 5 % nitrogen content in the niobium nitride film) have been studied. For the samples annealed at T = 900 °С, the photo-emf changes its sign near the GaAs absorption edge. The photo-emf distribution curves are alternating and nonlinear. It was found that thermal annealing at T = 950 °С results in an increase of relative nonuniformity of the depletion region thickness, while the sign of the photo-emf spectral curve does not change. In this case, considerable effect of band bending nonuniformity in the depletion region of the heterosystem under investigation on the character of lateral photo-emf distribution is retained. |
uk_UA |
dc.language.iso |
ru |
uk_UA |
dc.publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
uk_UA |
dc.relation.ispartof |
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
|
dc.title |
Латеральная фотоЭДС в неоднородном контакте Шоттки |
uk_UA |
dc.title.alternative |
Lateral photo-emf in a nonuniform Schottky contact |
uk_UA |
dc.type |
Article |
uk_UA |
dc.status |
published earlier |
uk_UA |
dc.identifier.udc |
535.215.6 |
|
Файли у цій статті
Ця стаття з'являється у наступних колекціях
Показати простий запис статті