Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Формування фотонних наноструктур за допомогою інтерференційної літографії та осадження у вакуумі під ковзним кутом

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Індутний, І.З.
dc.contributor.author Минько, В.І.
dc.contributor.author Шепелявий, П.Є.
dc.contributor.author Сопінський, М.В.
dc.contributor.author Ткач, В.М.
dc.contributor.author Данько, В.А.
dc.date.accessioned 2017-05-13T20:40:20Z
dc.date.available 2017-05-13T20:40:20Z
dc.date.issued 2011
dc.identifier.citation Формування фотонних наноструктур за допомогою інтерференційної літографії та осадження у вакуумі під ковзним кутом / І.З. Індутний, В.І. Минько, П.Є. Шепелявий, М.В. Сопінський, В.М. Ткач, В.А. Данько // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2011. — Вип. 46. — С. 49-56. — Бібліогр.: 17 назв. — укр. uk_UA
dc.identifier.issn 0233-7577
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116696
dc.description.abstract Досліджено процес формування фотонних структур на поверхні мікропрофільованих кремнієвих підкладок. Формування рельєфної структури на кремнієвій пластині у вигляді матриці виступів субмікронних розмірів здійснювали за допомогою інтерференційної літографії з використанням вакуумних халькогенідних фоторезистів та селективного рідинного травлення. Для вирощування матриці SiOx-колон субмікронних розмірів на виступах мікропрофільованої підкладки використовувалось термічне осадження монооксиду кремнію у вакуумі під ковзним кутом. Геометричн і параметри отриманих структур вивчено за допомогою високороздільного електронного та атомно-силового мікроскопів. Для характеризації отриманих структур проведено дослідження їх дифракційних та поляризаційних характеристик. Отримані кутові залежності дифракційної ефективності та ефективності конверсії поляризації демонструють анізотропні оптичні властивості двовимірних матриць SiOx-колон, що свідчить про можливість застосування таких структур як тонкоплівкових оптичних елементів. uk_UA
dc.description.abstract Growth of photonic structures on the micropatterned silicon substrates has been studied. The interference lithography with vacuum chalcogenide photoresists and selective wet etching were used for formation of relief structure on the silicon wafer as the matrix of submicrometer hillocks. The two-dimensional photonic arrays of submicrometer SiOx columns were produced by thermal evaporation of silicon monoxide in vacuum and oblique deposition onto patterned Si surface. The geometrical parameters of the obtained structures were examined with high-resolution electron microscope and scanning probe microscope in the AFM tapping mode. Diffraction properties of the obtained photonic arrays and their polarization characteristics were also studied. The obtained angular dependences of diffraction efficiency and efficiency of polarization conversion demonstrate anisotropic optical properties of two-dimensional photonic SiOx arrays, and such structures have potential application as thin-film optical elements. uk_UA
dc.language.iso uk uk_UA
dc.publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
dc.title Формування фотонних наноструктур за допомогою інтерференційної літографії та осадження у вакуумі під ковзним кутом uk_UA
dc.title.alternative Growth of the photonic nanostructures using interference lithography and oblique deposition in vacuum uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA
dc.identifier.udc 535.421; 546.28; 621.793


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис