Influence of the surface electronic processes on the spectrometric characteristics of silicon detectors

Abstract

In this paper the features of influence of the surface electron processes on the formation of silicon surface-barrier detector structures were founded, the regimes of chemical treatments of the surface for Si crystals were established with using of different combinations of etchants for the accelerated creation of surface-barrier structures with stable parameters, the slow regimes of etching were developed for making the detectors of plane-parallel geometry. On the basis of experimental studies concerning the improvement of the formation processes of qualitative surface-barrier structures, the fabrication technique of the silicon spectrometric detectors was optimized; the prototypes were manufactured and their characteristics were identified.

Выявлены особенности влияния поверхностных электронных процессов на формирование кремниевых поверхностно-барьерных детекторных структур; установлены режимы химических обработок поверхности Si-кристаллов с использованием различных составов травителей для ускоренного создания поверхностно- барьерных структур со стабильными параметрами; разработаны медленные режимы травления для изготовления детекторов плоскопараллельной геометрии. На основе проведенных экспериментальных исследований по совершенствованию процессов формирования качественных поверхностно-барьерных структур оптимизирована технология изготовления кремниевых спектрометрических детекторов, изготовлены опытные образцы и определены их характеристики.

Виявлено особливості впливу поверхневих електронних процесів на формування кремнієвих поверхнево- бар’єрних детекторних структур; встановлено режими хімічних обробок поверхні Si-кристалів з використанням різних складів травників для прискореного створення поверхнево-бар’єрних структур зі стабільними параметрами; розроблено повільні режими травлення для виготовлення детекторів плоско- паралельної геометрії. На основі проведених експериментальних досліджень щодо вдосконалення процесів формування якісних поверхнево-бар’єрних структур оптимізовано технологію виготовлення кремнієвих спектрометричних детекторів, виготовлено дослідні зразки та визначено їх характеристики.