Мустафаева, С.Н.; Асадов, М.М.; Исмайлов, А.А.
(Физика низких температур, 2010)
Установлено, что γ-облучение монокристаллов р-InSe и n-InSe<Sn> (0,2 и 0,4 мол.% Sn) дозой Dγ = 100 крад приводит к существенному изменению параметров локализованных в запрещенной зоне состояний: к увеличению плотности ...