Двоенергетичний напівпровідниковий детектор рентгенівського та гамма-випромінювання

Abstract

Проведено короткий аналіз основних типів детекторів іонізуючого випромінювання, їхніх переваг та недоліків. Обґрунтовано вибір та застосування напівпровідникового детектора на основі ZnSe при підвищених температурах. Використані оригінальні форми зразків детекторів із селеніду цинку та двокристальна схема для реєстрації рентгенівського та гамма-випромінювання в широкому діапазоні енергій. На виготовленому макеті приладу продемонстрована можливість реєстрації гамма-квантів за допомогою високоомного детектора із ZnSe в режимі окремих імпульсів.

Проведен краткий анализ главных типов детекторов ионизирующего излучения, их преимуществ и недостатков. Обосновано применение полупроводникового детектора на базе ZnSe при повышенных температурах. Использованы разные формы образцов детекторов, изготовленных из селенида цинка, и двокристальная схема для регистрации рентгеновского или гамма-излучения в широком енергетическом диапазоне. С помощью изготовленного макета прибора продемонстрирована возможность регистрации гамма-квантов высокоомным детектором из ZnSe в режиме отдельных импульсов.

Analysis of the major types of ionizing radiation detectors, their advantages and disadvantages are presented. Application of ZnSe-based semiconductor detector in high temperature environment is substantiated. Different forms of ZnSe-based detector samples and double-crystal scheme for registration of X- and gamma rays in a broad energy range were used . Based on the manufactured simulator device, the study sustains the feasibility of the gamma quanta recording by a high-resistance ZnSe-based detector operating in a perpulse mode.