Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Characteristics of interface corrugations in short-period GaAs/AlAs superlattices
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 1998, том 1
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 1998, № 1
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
| dc.contributor.author | Daweritz, L. | |
| dc.contributor.author | Grahn, H. | |
| dc.contributor.author | Hey, R. | |
| dc.contributor.author | Jenichen, B. | |
| dc.contributor.author | Ploog, K. | |
| dc.contributor.author | Korbutyak, D. | |
| dc.contributor.author | Krylyuk, S. | |
| dc.contributor.author | Kryuchenko, Yu. | |
| dc.contributor.author | Litovchenko, V. | |
| dc.date.accessioned | 2017-03-11T16:09:34Z | |
| dc.date.available | 2017-03-11T16:09:34Z | |
| dc.date.issued | 1998 | |
| dc.identifier.citation | Characteristics of interface corrugations in short-period GaAs/AlAs superlattices / L. Daweritz, H. Grahn, R. Hey, B. Jenichen, K. Ploog, D. Korbutyak, S. Krylyuk, Yu. Kryuchenko, V. Litovchenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1998. — Т. 1, № 1. — С. 45-49. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. | uk_UA |
| dc.identifier.issn | 1560-8034 | |
| dc.identifier.other | PACS 68.65. | |
| dc.identifier.uri | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/114668 | |
| dc.description.abstract | GaAs/AlAs supelattices with corrugated interfaces have been investigated by the polarized photoluminescence method. Using the theoretical approach, which associates the linear polarization of exciton photoluminescence with the corrugation parameters, experimental results have been fitted to determine the height and lateral extension of corrugations. | uk_UA |
| dc.description.abstract | Методом поляризованої фотолюмінесценції досліджені надгратки GaAs/AlAs з коругованими гетеромережами. Співставляючи експериментальні результати з теоретичними розрахунками на основі моделі, яка пов'язує ступінь лінійної поляризації екситонної фотолюмінесценції з параметрами коругованостей, визначені висота та латеральна протяжність коругованостей. | uk_UA |
| dc.description.abstract | Методом поляризованной фотолюминесценции исследованы сверхрешетки GaAs/AlAs с корругированными гетерограницами. Путем сравнения експериментальных результатов с теоретическими расчетами, базирующимися на модели, которая связывает степень линейной поляризации экситонной фотолюминесценции з параметрами корругованностей, определены высота и латеральная протяженность корругованностей. | uk_UA |
| dc.description.sponsorship | This work was supported by a NATO Linkage Grant and by the Ukrainian Committee for Science and Technology. | uk_UA |
| dc.language.iso | en | uk_UA |
| dc.publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України | uk_UA |
| dc.relation.ispartof | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics | |
| dc.title | Characteristics of interface corrugations in short-period GaAs/AlAs superlattices | uk_UA |
| dc.title.alternative | Характеристики коругованостi інтерфейсу в короткоперіодних надгратках GaAs/AlAs | uk_UA |
| dc.title.alternative | Характеристики корругированности интерфейса в короткопериодных сверхрешетках GaAs/AlAs | uk_UA |
| dc.type | Article | uk_UA |
| dc.status | published earlier | uk_UA |
| dc.identifier.udc | 621.315 |
