Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Strong effect of magnetic field on the edge luminescence line width in diluted magnetic narrow-gap Hg₁₋xMnxTe

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Mazur, Yu.I.
dc.date.accessioned 2017-03-11T16:04:03Z
dc.date.available 2017-03-11T16:04:03Z
dc.date.issued 1998
dc.identifier.citation Strong effect of magnetic field on the edge luminescence line width in diluted magnetic narrow-gap Hg₁₋xMnxTe / Yu.I. Mazur // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1998. — Т. 1, № 1. — С. 33-40. — Бібліогр.: 24 назв. — англ. uk_UA
dc.identifier.issn 1560-8034
dc.identifier.other PACS 75.50.Pp, 78.20.Ls, 78.55.Et
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/114666
dc.description.abstract Peculiarities of photoluminescence in narrow-gap Hg₁₋xMnxTe (0.09 < x < 0.11) under variation of both magnetic field and temperature are studied. A strong resonance enhancement of the edge emission and a narrowing of the line width to less than 2.5 meV were detected. The photoluminescence behaviour observed can be well described by the model of a magnetically trapped exciton. uk_UA
dc.description.abstract Досліджено особливості фотолюмінесценції у вузькозонних твердих розчинах Hg₁₋XMnXTe (0,09 < x < 0,11) у випадку комбінованого впливу магнітного поля та температури. Виявлено сильне резонансне підсилення крайової люмінесценції та звуження ширини її лінії до значень < 2,5 meV. Спостережувана поведінка фотолюмінесценції інтерпретується ,в рамках моделі магніто-захопленого екситона. uk_UA
dc.description.abstract Исследованы особенности фотолюминесценции в узкозонных твердых растворах Hg₁₋XMnXTe (0,09 < x < 0,11) при комбинированном воздействии магнитного поля и температуры. Обнаружено сильное резонансное усиление краевой люминесценции и сужение ширины ее линии до значений < 2,5 meV. Наблюдаемое поведение фотолюминесценции интерпретируется в рамках модели магнито-захваченного экситона. uk_UA
dc.description.sponsorship The author would like to acknowledge Prof. G. G. Tarasov and Dr. J. W. Tomm for a number of helpful and illuminating discussions, and Dr. O. A. Bodnaruk for supplying highquality Hg₁₋xMnxTe single crystals. uk_UA
dc.language.iso en uk_UA
dc.publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.title Strong effect of magnetic field on the edge luminescence line width in diluted magnetic narrow-gap Hg₁₋xMnxTe uk_UA
dc.title.alternative Сильний вплив магнітного поля на ширину лінії граничної люмінесценції в розбавлених магнітних вузькозонних напівпровідниках Hg₁₋xMnxTe uk_UA
dc.title.alternative Сильное влияние магнитного поля на ширину линии краевой люминесценции в разбавленных магнитных узкозонных полупроводниках Hg₁₋xMnxTe uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис