Квазикласичне та квантове перенесення заряду в полікристалічних плівках α-Mn нанометрової товщини

Abstract

Експериментальні залежності «питома електропровідність—товщина заморожено конденсованих ультратонких плівок мангану» кількісно описано на основі теорій квазикласичного та квантового розмірних ефектів. Тонкі плівки α-Mn було препаровано та досліджено за умов надвисокого вакууму. Плівки наносили на поверхню скляних підкладок та скляних підкладок, попередньо покритих підшаром ґерманію масовою товщиною до 3 нм. Експериментальні дані добре узгоджуються з результатами теоретичних розрахунків, які враховують особливості структури і морфологію поверхні плівок. Розраховано параметри перенесення заряду в плівках.

Экспериментальные зависимости «удельная электропроводность—толщина замороженно конденсированных ультратонких марганцевых плёнок» количественно описаны в рамках теорий квазиклассического и квантового размерных эффектов. Тонкие плёнки α-Mn были приготовлены и исследованы в условиях сверхвысокого вакуума. Плёнки сформированы на поверхностях стеклянных подложек и стеклянных подложек, предварительно покрытых подслоем германия массовой толщиной до 3 нм. Экспериментальные данные хорошо согласуются с результатами теоретических расчётов, которые учитывают особенности структуры и поверхностную морфологию плёнок. Рассчитаны параметры переноса заряда в плёнках.

Conductivity—thickness dependences in quenched condensed ultra-thin manganese films are quantitatively described within the scope of the quasi-classical and quantum size-effect theories. Thin α-Mn films are prepared and investigated under ultra-high vacuum conditions. The films are deposited on glass substrate and on glass substrate precovered with germanium underlayer with mass thicknesses of up to 3 nm. The experimental data are in a good agreement with the theoretical calculations, which took into account the peculiarities of the metal-films’ structure and the film surface morphology. Electron-transport parameters of thin films are calculated.