Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Отражение медленных электронов от графена на грани (110)Mo

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Нищенко, М.М.
dc.contributor.author Смольник, С.В.
dc.contributor.author Шевченко, Н.А.
dc.date.accessioned 2017-01-20T18:26:19Z
dc.date.available 2017-01-20T18:26:19Z
dc.date.issued 2015
dc.identifier.citation Отражение медленных электронов от графена на грани (110)Mo / М. М. Нищенко, С. В. Смольник, Н. А. Шевченко // Металлофизика и новейшие технологии. — 2015. — Т. 37, № 9. — С. 1183-1201. — Бібліогр.: 45 назв. — рос. uk_UA
dc.identifier.issn 1024-1809
dc.identifier.other PACS: 65.40.gh,68.35.B-,68.35.Dv,68.47.De,68.49.Jk,68.65.Pq,73.22.Pr,81.05.ue
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/112385
dc.description.abstract Изучено влияние сегрегации углерода на нагретой в сверхвысоком вакууме атомно-чистой поверхности Мо(110) на отражение медленных (0—50 эВ) электронов методом спектроскопии полного тока (СПТ) и работу выхода φ методом контактной разности потенциалов. В процессе отжига при Тотж = 1400—2000 К величина φ плавно снижается на Δφ = 0,18 эВ (до 4,82 ± 0,02 эВ), что сопровождается монотонным сдвигом двух основных минимумов в СПТ навстречу друг другу на ΔE = 1,2 эВ до значений Е = 4,8 и 12,5 эВ, характерных для возбуждения в графене плазмонов в π-зоне проводимости и (π+σ)-валентной зоне соответственно. Минимумы свидетельствуют об эмиссии электронов в обратном направлении; их сдвиги вызваны смещением энергии π-зоны проводимости вверх, а σ-валентной зоны – вниз. Отжиг при Тотж = 2200—2700 К не изменяет значение φ и все параметры СПТ, а состояние такой поверхности становится термодинамически стабильным для графена на Мо(110). Последний увеличивает число пиков отражения электронов от трёх до пяти и снижает в несколько раз коэффициент их отражения, который спадает практически до нуля при повышении Е. uk_UA
dc.description.abstract Вивчено вплив сеґреґації вуглецю на нагрітій у надвисокому вакуумі атомово-чистій поверхні Mo(110) на відбивання повільних (0—50 еВ) електронів методою спектроскопії повного струму (СПС) і роботу виходу φ методою контактної ріжниці потенціялів (КРП). У ході відпалу при Твідп = 1400—2000 К величина φ плавно знижується на Δφ = 0,18 еВ (до 4,82 ± 0,02 еВ), що супроводжується монотонним зсувом двох основних мінімумів у СПС назустріч один одному на ΔE = 1,2 еВ до значень Е = 4,8 и 12,5 еВ, характерних для збудження у графені плазмонів у π-зоні провідности та (π+σ)-валентній зоні відповідно. Мінімуми свідчать про емісію електронів у зворотньому напрямку; їхні зсуви спричинено зміщенням енергії π-зони провідности вгору, а σ-валентної зони – вниз. Відпал при Твідп = 2200—2700 К не змінює значення φ і всі параметри СПС, а стан такої поверхні стає термодинамічно стабільним для графену на Мо(110). Останній збільшує кількість піків відбивання електронів від трьох до п’ятьох і понижує в декілька разів коефіцієнт їхнього відбивання, який спадає практично до нуля з підвищенням Е. uk_UA
dc.description.abstract The effect of segregation of carbon on atomically clean surface of Mo(110) heated in ultrahigh vacuum on both the reflection of slow (0—50 eV) electrons by total current spectroscopy (TCS) and the work function φ by the contact potential difference are studied. During the annealing at Тanneal = 1400—2000 K, the φ value gradually decreases by Δφ = 0.18 eV (up to 4.82 ± 0.02 eV), and it is accompanied by a monotonic shift of the two major minima in TCS to meet each other on ΔE = 1.2 eV to the values of E = 4.8 and 12.5 eV, which are typical for the plasmon excitation in graphene in π-conduction band and (π+σ)-valence band, respectively. Minima indicate the electrons’ emission in the opposite direction, and their shifts are caused by energy shift of the conduction π-band upward and σ-valence band downwards. Annealing at Тanneal = 2200—2700 K does not change the φ value and all parameters of the TCS, and the status of such a surface becomes thermodynamically stable for graphene on Mo(110). Graphene increases the number of peaks of electrons’ reflection from three to five, and reduces by several times the reflection coefficient, which drops almost to zero with E increasing. uk_UA
dc.language.iso ru uk_UA
dc.publisher Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Металлофизика и новейшие технологии
dc.subject Строение и свойства наноразмерных и мезоскопических материалов uk_UA
dc.title Отражение медленных электронов от графена на грани (110)Mo uk_UA
dc.title.alternative Відбивання повільних електронів від графену на поверхні (110)Mo uk_UA
dc.title.alternative Reflection of Slow Electrons from Graphene on (110)Mo uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис