Особливості впливу проникної радіації на вольт-амперні характеристики прямозміщених світлодіодів GаP

Abstract

Досліджувалися вольт-амперні характеристики (ВАХ) вихідних світлодіодів GaP та опромінених електронами з Е = 2 МеВ, швидкими нейтронами реактора (Е = 2 МеВ) та α⁺⁺-частинками з Е = 27 МеВ. Вимірювання проводились у автоматичному режимі в інтервалі температур 77…300 К. На низькотемпературних ВАХ (Т ≤ 90 К) виявлено N- та S-ділянки від’ємного диференційного опору. Зростання прямого струму на низьковольтній ділянці опромінених зразків зумовлене перерозподілом спаду напруг на базі та p-n-переході. Велике значення швидкості видалення носіїв при α⁺⁺-опроміненні пов’язується з високим рівнем іонізації, характерним для такого виду частинок.

Исследовались вольт-амперные характеристики (ВАХ) исходных светодиодов GaP и облученных электронами с Е = 2 МэВ, быстрыми нейтронами реактора (Е = 2 МэВ) и α⁺⁺-частичками с Е = 27 МэВ. Измерения проводились в автоматическом режиме с интервалом температур 77…300 К. На низкотемпературных ВАХ (Т ≤ 90 К) обнаружены N- и S-области отрицательного дифференциального сопротивления. Рост прямого тока на низковольтном участке облученных образцов вызван перераспределением уменьшения напряжений на базе и p-n-переходе. Большое значение скорости удаления носителей при α⁺⁺-облучении связано с высоким уровнем ионизации, что характерно для такого вида частиц.

The current-voltage characteristics of GaP light emitting diodes (LEDs), irradiated by electrons with E = 2 MeV, fast reactor neutrons (E = 2 MeV) and α-particles with E = 27 MeV were studied. Measurements were carried out automatically in the temperature range 77…300 K. It was revealed N- and S-plot of negative differential resistance in the low-temperature current-voltage curves (T ≤ 90 K). The growth of low-voltage direct current of irradiated samples is caused by redistribution of voltage between the diode’s base and the p-n-junction. Great value of the carriers’ removal rate for alpha-irradiation is associated with high ionization level of this type of particles.