Магнітні тунельні контакти на основі стопу Гейслера Fe₂MnGa

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізики і астрономії
→
Металлофизика и новейшие технологии
→
Металлофизика и новейшие технологии, 2015 (том 37)
→
Металлофизика и новейшие технологии, 2015, № 03
→
Переглянути статтю

dc.contributor.author	Кудрявцев, Ю.В.
dc.contributor.author	Уваров, В.М.
dc.contributor.author	Дубовік, Дж.
dc.contributor.author	Скирта, Ю.Б.
dc.date.accessioned	2017-01-14T08:56:08Z
dc.date.available	2017-01-14T08:56:08Z
dc.date.issued	2015
dc.identifier.citation	Магнітні тунельні контакти на основі стопу Гейслера Fe₂MnGa / Ю. В. Кудрявцев, В. М. Уваров, Дж. Дубовік, Ю. Б. Скирта // Металлофизика и новейшие технологии. — 2015. — Т. 37, № 3. — С. 305-316. — Бібліогр.: 13 назв. — укр.	uk_UA
dc.identifier.issn	1024-1809
dc.identifier.other	PACS: 68.65.Ac, 71.20.Be, 73.40.Rw, 75.47.Np, 75.50.Bb, 75.70.Cn, 85.75.Ss
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/111738
dc.description.abstract	Було виготовлено та досліджено магнетні тунельні контакти (МТК), в яких феромагнетними електродами були плівки стопу Гойслера Fe₂MnGa та стопу Ni₈₀Fe₂₀; бар’єрним шаром між ними були плівки MgО. Показано, що структура плівок стопу Fe₂MnGa впливає на величину тунельного магнетоопору. Одержані величини магнетоопору при Т = 293 К (4—20%) відкривають перспективи практичного використання таких МТК як сенсорів магнетного поля.	uk_UA
dc.description.abstract	Были изготовлены и исследованы магнитные туннельные контакты (МТК), в которых ферромагнитными электродами служили плёнки сплава Гейслера Fe₂MnGa и сплава Ni₈₀Fe₂₀; барьерным слоем между ними были плёнки MgO. Показано, что структура плёнок сплава Fe₂MnGa влияет на величину туннельного магнитосопротивления. Полученные величины магнитосопротивления при Т = 293К (4—20%) открывают перспективы практического использования таких МТК в качестве сенсоров магнитного поля.	uk_UA
dc.description.abstract	Magnetic tunnel junctions (MTJ) with Heusler Fe₂MnGa-alloy and Ni₈₀Fe₂₀-alloy films as ferromagnetic electrodes and MgO-films as barrier layer are fabricated and investigated. As shown, the structure of Fe₂MnGa-alloy films effects significantly on the tunnel magnetoresistance value. Obtained values of tunnel magnetoresistance (4—20\%) at 293 K open the perspectives of practical applications of such MTJ as magnetic-field sensors.	uk_UA
dc.description.sponsorship	Автори вдячні А. О. Краковному за визначення ступеня спінової поляризації електронів провідности в плівках стопу Гойслера Fe₂MnGa. Дану робота було виконано за підтримки проекту 2/14-Д Державної цільової науково-технічної програми «Нанотехнології та наноматеріали» на 2010—2014 роки.	uk_UA
dc.language.iso	uk	uk_UA
dc.publisher	Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Металлофизика и новейшие технологии
dc.subject	Электронные структура и свойства	uk_UA
dc.title	Магнітні тунельні контакти на основі стопу Гейслера Fe₂MnGa	uk_UA
dc.title.alternative	Магнитные туннельные контакты на основе сплава Гейслера Fe₂MnGa	uk_UA
dc.title.alternative	Magnetic Tunnel Contacts Based on Heusler Fe₂MnGa Alloy	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA