Дія проникаючої радіації на електрофізичні характеристики світловипромінюючих діодів GaP

Abstract

Досліджувалась природа ділянок від’ємного диференційного опору (ВДО) S- та N-типу на вольт- амперних характеристиках (ВАХ) фосфідогалієвих світлодіодів. Існування S-подібних ділянок пов’язується з процесами захоплення та емісії неосновних носіїв пастками. Виникнення ВДО N-типу обумовлюється тунелюванням вільних носіїв струму на рівні квантових ям. Уведення радіаційних дефектів у досліджувані структури приводить до зростання тунельної складової струму на прямих і зворотних ділянках ВАХ.

Исследовалась природа областей отрицательного дифференциального сопротивления (ОДС) S- та N-типа на вольтамперных характеристиках (ВАХ) фосфидо-галлиевых светодиодов. Существование S-похожих областей связано с процессом захвата и эмиссии неосновных носителей тока ловушками. Возникновение ОДС N-типа обусловлено туннелированием свободных носителей тока на уровни квантовых ям. Введение в исследованные структуры радиационных дефектов приводит к возрастанию туннельной компоненты тока на прямых и обратных ветвях ВАХ.

The origin of negative differential resistance (NDR) regions of N- and P-types in current-voltage characteristics of GaP lightemitting diodes was studied. An existence of N-type is connected with the processes of the capture and emission of minority current carriers by the traps. Appearing of the N-type NDR is caused by the free carrier tunneling on quantum well levels. Radiation induced defects lead to the increase of the tunneling current in the forward and reverse parts of current-voltage characteristics.