Подвижность дислокаций в кристаллах LiF, облученных высокоэнергетическими электронами

Abstract

После облучения кристаллов LiF электронами с энергиями 35 и 100 МэВ в интервале доз 10⁹...10¹⁴ эл/см² обнаружена немонотонная зависимость подвижности дислокаций от дозы, связанная, по-видимому, как с концентрацией и мощностью радиационных дефектов, так и с особенностями процессов двойного поперечного скольжения.

Після опромінення кристалів LiF електронами з енергією 35 та 100 МеВ у інтервалі доз 10⁹...10¹⁴ ел/см² виявлена немонотонна залежність рухомості дислокації від дози, яка зв’язана, мабудь, як з концентрацією та потужністю радіаційних дефектів, так і з особливостями процесів подвійного поперечного ковзання.

A nonmonotonic dependence of the dislocation mobilityon fluence was reveled in LiF crystals irradiated by the electrons with energy 35 and 100 Mev at fluences in interval 10⁹...10¹⁴ el/cm² which, to all appearance, is connected to a concentration and capacity of radiation defects and peculiarities of the doublecross sliding.