Синтез стехиометрических пленок бинарных соединений реактивным магнетронным напылением и управление режимом напыления

Abstract

Вычислены режимы напыления бинарных соединений магнетроном и переходы его равновесной зависимости из области неустойчивости к абсолютной устойчивости. Область перехода зависит от скорости откачки камеры магнетрона, соотношения площадей анода и катода [1,2], а также от величины диффузионного перемешивания металлической и бинарной компонент на поверхности напыляемой пленки [3]. Вычислены зависимости от времени концентрации реактивного газа в камере при переключениях скорости его напуска в пределах областей абсолютной устойчивости и при переходах одной области устойчивости к другой. Результаты могут быть использованы при создании системы автоматического управления процессом магнетронного напыления плёнок.

Вирахувані режими напилення бінарних сполук магнетроном та переходи його рівновагої залежності із області нестійкості до абсолютної стійкості. Область переходу залежить від швидкості відкачки камери магнетрона, співвідношення площ аноду і катоду [1,2], а також від величини дифузійного перемішування [3]. Вирахувані залежності від часу концентрації реактивного газу в камері при перемиканнях швидкості його напуску в межах областей абсолютноі стікості і при переходах від одної області стійкості до іншої. Результати можуть бути використані при створенні системи автоматичного управління процессом магнетронного напилення плівок.

Regimes of dehjsition of binary combination planar magnetron and transitions its state equilibrum from region instability to region absolute stability were calculated. The transition region depend on pumping rate of magnetron chember, relation of cathode and anode areas [1,2] and from size of diffusional intermixion [3]. Dependences of the reactive gas time concentration in chember at velocity of the leak switching within the rages of absolute stability and during pass between the rages was calculated. Results would be applied for the development of system of automatic process control for the magnetron films deposition.