Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Динаміка формування дефектів та їх анігіляції в структурі циркону за даними комп’ютерного моделювання

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Шпак, А.П.
dc.contributor.author Гречанівський, О.Є.
dc.contributor.author Литовченко, А.С.
dc.contributor.author Саєнко, С.Ю.
dc.date.accessioned 2017-01-05T20:09:58Z
dc.date.available 2017-01-05T20:09:58Z
dc.date.issued 2007
dc.identifier.citation Динаміка формування дефектів та їх анігіляції в структурі циркону за даними комп’ютерного моделювання / А.П. Шпак, О.Є. Гречанівський, А.С. Литовченко, С.Ю. Саєнко // Вопросы атомной науки и техники. — 2007. — № 2. — С. 29-32). — Бібліогр.: 15 назв. — укр. uk_UA
dc.identifier.issn 1562-6016
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/110651
dc.description.abstract Використовуючи метод молекулярної динаміки було проведено комп’ютерне моделювання (МД моделювання) для дослідження радіаційного пошкодження в цирконі (ZrSiO₄) при температурі 300 K. В якості міжатомних потенціалів використовувались букінгемівський потенціал та потенціал Морзе, а в якості атома віддачі використовували атом урану з початковою кінетичною енергією 1 кеВ. В результаті були отримані залежності кількості зміщених атомів Zr, Si та O від часу та функції радіального розподілу для пар атомів Si-O та Si-Si. Результати МД-моделювання показують, що максимальна кількість зміщених атомів (приблизно 100 атомів) досягається при t ≈ 0,27 пс, а кінцева кількість – дорівнює приблизно 70 атомів при t > 1 пс. uk_UA
dc.description.abstract Используя метод молекулярной динамики, было проведено компьютерное моделирование (МД-моделирование) для изучения радиационного повреждения в цирконе (ZrSiO₄) при температуре 300 K. В качестве межатомных потенциалов использовались букингемовский потенциал и потенциал Морзе, а в качестве атома отдачи использовали атом урана с начальной кинетической энергией 1 кэВ. В результате были получены зависимости количества смещённых атомов Zr, Si и O от времени и функции радиального распределения для пар атомов Si-O и Si-Si. Результаты МД-моделирования показали, что максимальное количество смещённых атомов (100 атомов) достигается при t ≈ 0,27 пс, а конечное количество смещённых атомов равно 70 при t > 1 пс. uk_UA
dc.description.abstract Molecular dynamics simulation with Buckingham and Morse empirical potentials has been used to study radiation damage in zircon (ZrSiO₄) at 300 K, where a uranium atom was used as the primary knock-on atom with a kinetic energy of 1 keV. The dependence of number of displaced Zr, Si and O atoms versus simulation time and Si-O and O-O RDF functions have been drawn. The results of the MD simulations show that the maximal number of displaced atoms is closely equal to 100 for t ≈ 0.27 ps, and the end number of displaced atoms is closely equal to 70 for t > 1 ps. uk_UA
dc.description.sponsorship Комп’ютерне моделювання було виконано на комп’ютері Intel Pentium Гречанівським О.Є., який вдячний Білу Сміту (W. Smith) за надання ліцензії на користування пакетом програм DL_POLY.
dc.language.iso uk uk_UA
dc.publisher Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Вопросы атомной науки и техники
dc.subject Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах uk_UA
dc.title Динаміка формування дефектів та їх анігіляції в структурі циркону за даними комп’ютерного моделювання uk_UA
dc.title.alternative Компьютерное моделирование динамики формирования дефектов и их аннигиляции в структуре циркона uk_UA
dc.title.alternative Molecular dynamics simulation of displacement cascades in zircon uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA
dc.identifier.udc 004.942:544.022.344.3:544.032.6


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис