Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Пучково-плазменный разряд в слабом магнитном поле как источник плазмы для плазмохимического реактора

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Шустин, Е.Г.
dc.contributor.author Исаев, Н.В.
dc.contributor.author Темирязева, М.П.
dc.contributor.author Тараканов, В.П.
dc.contributor.author Федоров, Ю.В.
dc.date.accessioned 2017-01-04T19:50:23Z
dc.date.available 2017-01-04T19:50:23Z
dc.date.issued 2008
dc.identifier.citation Пучково-плазменный разряд в слабом магнитном поле как источник плазмы для плазмохимического реактора / Е.Г. Шустин, Н.В. Исаев, М.П. Темирязева, В.П. Тараканов, Ю.В. Федоров // Вопросы атомной науки и техники. — 2008. — № 4. — С. 169-173. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. uk_UA
dc.identifier.issn 1562-6016
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/110571
dc.description.abstract Представлен обзор свойств пучково-плазменного разряда, позволяющих использовать его в качестве плазменного реактора для низкоэнергетического травления поверхности полупроводниковых материалов. Проведены эксперименты по изучению функции распределения ионов на периферии пучково-плазменного разряда и на поверхности образца, подвергаемого травлению. На основе компьютерных и физических экспериментов разработаны способы и технические средства управления энергией и плотностью ионного потока. Определены основные технологические характеристики режимов травления гетероструктур на основе арсенида галлия. Обсуждаются проблемы построения теории пучково-плазменного разряда в замкнутой системе. uk_UA
dc.description.abstract Представлено огляд властивостей пучково-плазмового розряду, що дозволяють використовувати його в якості плазмового реактора для низькоенергетичного травлення поверхні напівпровідникових матеріалів. Проведено експерименти по вивченню функції розподілу іонів на периферії пучково-плазмового розряду і на поверхні зразка, що піддається травленню На основі комп'ютерних і фізичних експериментів розроблені способи і технічні засоби керування енергією і щільністю іонного потоку. Визначено основні технологічні характеристики режимів травлення гетероструктур на основі арсеніду галію. Обговорюються проблеми побудови теорії пучково-плазмового розряду в замкнутій системі. uk_UA
dc.description.abstract The review of properties of beam plasma discharge (BPD) permitting to use it as plasma processing reactor for low energy etching of a surface of semiconducting materials is submitted. The experiments on learning a distribution function of ions on periphery of BPD and on a surface of a sample subjected to etching have been carried out. On the basis of computer and physical experiments the means of control of energy and density of an ion flow have been designed. The main technical characteristics of modes of etching of heterostructures on the basis of gallium arsenide are determined. The problems of construction of the theory of BPD in a bounded system are considered. uk_UA
dc.description.sponsorship Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (гранты №04-02-97257, 07-08-00014). uk_UA
dc.language.iso ru uk_UA
dc.publisher Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Вопросы атомной науки и техники
dc.subject Плазменно-пучковый разряд, газовый разряд и плазмохимия uk_UA
dc.title Пучково-плазменный разряд в слабом магнитном поле как источник плазмы для плазмохимического реактора uk_UA
dc.title.alternative Пучково-плазмовий розряд у слабкому магнітному полі як джерело плазми для плазмохімічного реактора uk_UA
dc.title.alternative Beam plasma discharge at low magnetic field as a plasma source for a plasma processing reactor uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA
dc.identifier.udc 533.933


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис