Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Выбор напряжений обратных смещений для кремниевых ФЭУ S10931-050P и S10931-100P

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Дудник, А.В.
dc.contributor.author Курбатов, Е.В.
dc.contributor.author Валтонен, Э.
dc.date.accessioned 2016-11-18T15:27:40Z
dc.date.available 2016-11-18T15:27:40Z
dc.date.issued 2012
dc.identifier.citation Выбор напряжений обратных смещений для кремниевых ФЭУ S10931-050P и S10931-100P / А.В. Дудник, Е.В. Курбатов, Э. Валтонен // Вопросы атомной науки и техники. — 2012. — № 4. — С. 210-215. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. uk_UA
dc.identifier.issn 1562-6016
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108940
dc.description.abstract Представлены результаты исследования зависимости максимально возможных и однофотоэлектронных сигналов кремниевых фотоэлектронных умножителей с размерами ячеек 50×50 и 100×100 мкм производства «Hamamatsu Photonics K.K.» от напряжений обратного смещения. Показано, что ФЭУ с меньшими ячейками имеет более широкий диапазон амплитуд выходных аналоговых сигналов, в то время как эффективность регистрации фотонов ФЭУ с большими размерами ячеек имеет более быстрый рост с увеличением напряжений обратных смещений за счет лучшей геометрической эффективности. Показана принципиальная возможность использования кремниевого ФЭУ размерами активной площади (3×3) мм² со сцинтилляционными детекторами на основе ортосиликата гадолиния, активированного церием, для спектрометрии гамма-излучения от естественных и искусственных радионуклидов. uk_UA
dc.description.abstract The results of investigation of maximal and single photo-electron signals of Hamamatsu Photonics K.K. silicon photomultipliers (PM) with pixel sizes 50×50 and 100×100 μm as a function of bias voltage are presented. It is shown that the PM with smaller pixels has a wider range of analog signal output amplitudes, while the photon detection efficiency of the PM with large pixel sizes increases more rapidly with increasing bias voltages due to better geometric efficiency. The principal possibility of using silicon photomultipliers with an active area of (3×3) mm² with scintillation detectors based on cerium-doped gadolinium silicate crystals for gamma-ray spectrometry from natural and artificial radio nuclides is demonstrated. uk_UA
dc.description.abstract Представлені результати дослідження залежності максимально можливих і однофотоелектронних сигналів кремнієвих фотоелектронних помножувачів з розмірами комірок 50×50 і 100×100 мкм виробництва «Hamamatsu Photonics K.K.» від напруг зворотного зміщення. Показано, що ФЕП з меншими комірками має більш широкий діапазон амплітуд вихідних аналогових сигналів, проте ефективність реєстрації фотонів ФЕП з більшими розмірами комірок зростає швидше зі збільшенням напруги зворотних зміщень за рахунок кращої геометричної ефективності. Показана принципова можливість використання кремнієвого ФЕП розмірами активної площі (3×3) мм² зі сцинтиляційними детекторами на основі ортосилікату гадолінія, активованого церієм, для спектрометрії гамма-випромінювання від природних і штучних радіонуклідів. uk_UA
dc.language.iso ru uk_UA
dc.publisher Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Вопросы атомной науки и техники
dc.subject Применение ускоренных пучков: детекторы и детектирование ядерных излучений uk_UA
dc.title Выбор напряжений обратных смещений для кремниевых ФЭУ S10931-050P и S10931-100P uk_UA
dc.title.alternative Choice of bias voltages for silicon photomultipliers S10931-050P and S10931-100P uk_UA
dc.title.alternative Вибір напруг зворотних зміщень для кремніевих ФЕП S10931-050P і S10931-100P uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA
dc.identifier.udc 539.1.074:621.383.523


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис