Фотостимульовані реверсивні перетворення у плівках Ge-Se як основа резистивного процесу

Abstract

Досліджено закономірності резистивного процесу на відпалених шарах стекол розрізу Ge-Se та вивчено можливості створення за його допомогою складних рельєфно-фазових структур чи літографічних масок. Показано, що даний резистивний процес безпосередньо пов’язаний із реверсивними фотоструктурними змінами, які спостерігаються в даних стеклах, що, в свою чергу, дозволяє стирати повторним відпалом інформацію, записану фотоекспонуванням цих плівок, а також повторювати цикли відпал-експонування без значних змін характеристик отримуваних структур.

The characteristics of resistive process have been investigated using the annealed Ge-Se layers, and possibilities of producing the complicated relief-phase structures or lithographic masks by using this process have been studied. It has been shown that this resistive process is directly related to the reversible photostructural changes in these glasses. It allows to use the repeat annealing to delete information written through the illumination of these films as well as to repeat annealing-illumination cycles without significant changes in the characteristics of the obtained structures.