Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Энергетические и частотные характеристики GaAs диодов Ганна с AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Стороженко, И.П.
dc.contributor.author Аркуша, Ю.В.
dc.contributor.author Прохоров, Э.Д.
dc.date.accessioned 2010-08-09T14:11:45Z
dc.date.available 2010-08-09T14:11:45Z
dc.date.issued 2007
dc.identifier.citation Энергетические и частотные характеристики GaAs диодов Ганна с AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами / И.П. Стороженко, Ю.В. Аркуша, Э.Д. Прохоров // Радіофізика та електроніка. — 2007. — Т. 12, № 3. — С. 579-583. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. uk_UA
dc.identifier.issn 1028-821X
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/10891
dc.description.abstract С помощью двухуровневой модели междолинного переноса электронов (МПЭ) в полупроводниках исследована работа GaAs диодов Ганна с AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами. Показаны основные закономерности и особенности работы приборов с МПЭ, у которых катодным контактом является изотипный, прямосмещенный гетеропереход. Вычислены энергетические и частотные характеристики. Определены предельные рабочие частоты. uk_UA
dc.description.abstract За допомогою дворівневої моделі міждолинного переносу електронів (МПЕ) у напівпровідниках досліджена робота GaAs діодів Ганна з AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами. Показані основні закономірності та особливості роботи приладів з МПЕ, у яких катодним контактом є ізотопний, прямозміщений гетероперехід на катодному контакті. Розраховані енергетичні та частотні характеристики. Визначені граничні робочі частоти. uk_UA
dc.description.abstract Operation of the GaAs TED’s with AlxGa1-xAs and GaPxAs1-x cathodes is studied with the two-level model of intervalley electron transfer in the semiconductors. Fundamental behaviors and specialty operation of the GaAs TED’s with forward bias isotype heterojunction in cathode are defined. Energy and frequency characteristics are calculated. Boundary operation frequencies are determined. uk_UA
dc.language.iso ru uk_UA
dc.publisher Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України uk_UA
dc.subject Вакуумная и твердотельная электроника uk_UA
dc.title Энергетические и частотные характеристики GaAs диодов Ганна с AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами uk_UA
dc.title.alternative Енергетичні та частотні характеристики GaAs діодів Ганна з AlxGa1-xAs i GaPxAs1-x катодами uk_UA
dc.title.alternative Energy and frequency characteristics of GaAs Gunn diodes with AlxGa1-xAs and GaPxAs1-x cathodes uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA
dc.identifier.udc 621.382.2


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис