Венгер, Е.Ф.; Готовы, И.; Шеховцов, Л.В.
(Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2012)
Исследован процесс деградации контакта Шоттки NbN–GaAs методом измерения спектральных характеристик латеральной фотоЭДС. Результаты позволяют установить закономерную связь между формой спектральных кривых, концентрацией ...