Влияние конструктивно-технологического решения кремниевых фотопреобразователей на параметры неосновных носителей заряда в их базовых кристаллах

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізики і астрономії
→
Радіофізика та електроніка
→
Радіофізика та електроніка, 2007 (том 12)
→
Радіофізика та електроніка, 2007, № 1
→
Переглянути статтю

dc.contributor.author	Кириченко, М.В.
dc.contributor.author	Зайцев, Р.В.
dc.contributor.author	Дейнеко, Н.В.
dc.contributor.author	Копач, В.Р.
dc.contributor.author	Антонова, В.А.
dc.contributor.author	Листратенко, А.М.
dc.date.accessioned	2010-08-06T16:45:39Z
dc.date.available	2010-08-06T16:45:39Z
dc.date.issued	2007
dc.identifier.citation	Влияние конструктивно-технологического решения кремниевых фотопреобразователей на параметры неосновных носителей заряда в их базовых кристаллах / М.В. Кириченко, Р.В. Зайцев, Н.В. Дейнеко, В.Р. Копач, В.А. Антонова, А.М. Листратенко // Радіофізика та електроніка. — 2007. — Т. 12, № 1. — С. 255-262. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	1028-821X
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/10815
dc.description.abstract	Приведены результаты исследований времени жизни и диффузионной длины L неосновных носителей заряда в базовых кристаллах кремниевых фотоэлектрических преобразователей (Si-ФЭП), изготовленных согласно различным вариантам конструктивно-технологического решения. На основании проведенного сравнительного анализа полученных значений ? и L обоснован выбор оптимального варианта конструктивно-технологического решения отечественных монокристаллических Si-ФЭП.	uk_UA
dc.description.abstract	Наведено результати досліджень часу життя та дифузійної довжини L неосновних носіїв заряду у базових кристалах кремнієвих фотоелектричних перетворювачів (Si-ФЕП), виготовлених згідно до різних варіантів конструктивно-технологічного рішення. На підставі проведеного порівняльного аналізу отриманих значень ? і L обґрунтовано вибір оптимального варіанту конструктивно-технологічного рішення вітчизняних монокристалічних Si-ФЕП.	uk_UA
dc.description.abstract	The investigated values of lifetime and diffusion length L of minor-ity charge carriers in base crystals of silicon solar cells (Si-SC) according to their various construction-technological solutions are presented. The optimal construction-technological solution version for Ukrainian monocrystalline Si-SC was suggested on the basis of the carried out comparative analysis of received ? and L values.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України	uk_UA
dc.subject	Вакуумная и твердотельная электроника	uk_UA
dc.title	Влияние конструктивно-технологического решения кремниевых фотопреобразователей на параметры неосновных носителей заряда в их базовых кристаллах	uk_UA
dc.title.alternative	Вплив конструктивно-технологічного рішення кремнієвих фотоперетворювачів на параметри неосновних носіїв заряду у їх базових кристалах	uk_UA
dc.title.alternative	Influence of construction-technological solutions of silicon solar cells on minority charge carriers parameters in their base crystals	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA
dc.identifier.udc	539.2:648.75