Квантовая эффективность резонансного InGaAs/GaAs фотодетектора для сверхкоротких оптических соединений

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізики і астрономії
→
Радіофізика та електроніка
→
Радіофізика та електроніка, 2007 (том 12)
→
Радіофізика та електроніка, 2007, № 2
→
Переглянути статтю

dc.contributor.author	Грищенко, С.В.
dc.contributor.author	Демин, А.А.
dc.contributor.author	Лысак, В.В.
dc.contributor.author	Петров, С.И.
dc.date.accessioned	2010-08-06T15:57:58Z
dc.date.available	2010-08-06T15:57:58Z
dc.date.issued	2007
dc.identifier.citation	Квантовая эффективность резонансного InGaAs/GaAs фотодетектора для сверхкоротких оптических соединений / С.В. Грищенко, А.А. Демин, В.В. Лысак, С.И. Петров // Радіофізика та електроніка. — 2007. — Т. 12, № 2. — С. 401-407. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	1028-821X
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/10802
dc.description.abstract	Проводится теоретическое исследование квантовой эффективности резонансного p-i-n фотодетектора на основе InGaAs/GaAs для сверхкоротких оптических соединений. Рассчитана квантовая эффективность для условий резонанса. Математическая модель включает физические параметры фотодетектора и учитывает длину волны излучения, отражательную способность зеркал и оптическое поглощение во всех слоях детектора. Были получены зависимости квантовой эффективности от коэффициента отражения верхнего зеркала резонатора на основе Al0,65Ga0,35As/GaAs при различных других параметрах структуры. Найдены значения коэффициента отражения верхнего зеркала в зависимости от физических параметров структуры.	uk_UA
dc.description.abstract	Проводиться теоретичне дослідження квантової єфективності резонансного p-і-n фотодетектора на основі InGaAs/GaAs для надшвидких оптичних з’еднань. Розрахована квантова ефективність для умов резонансу. Математична модель включає до себе фізичні параметри фотодетектора та враховує довжину хвілі випромінювання, відбивну спроможність дзеркал та оптичне поглинання в усіх шарах детектора. Були отримани залежності квантової ефективності від коєфіціента відбивання верхнього дзеркала резонатора на основі Al0,65Ga0,35As/GaAs при різних інших параметрах структури. Знайдено значення коєфіциента відбивання верхнього дзеркала в залежності від фізичних параметрів структури.	uk_UA
dc.description.abstract	We present a theoretical analysis on the quantum efficiency of a resonant cavity enhanced (RCE) InGaAs/GaAs p-i-n detector for the ultrashort optical connections. The quantum efficiency (QE) under resonant condition has been calculated. The math model includes physical parameters of photodetector and takes into account wave-length, reflecting availability of mirrors and optical absorption in all photodetector layers. QE dependence from the top mirror reflectivity coefficient based on Al0,65Ga0,35As/GaAs was obtained. Magnitude of reflectivity coefficient of the top mirror in dependence of different physical parameters was found.	uk_UA
dc.description.sponsorship	Авторы выражают благодарность И. А. Сухоиванову за советы в ходе выполнения работы и помощь при подготовке рукописи.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України	uk_UA
dc.subject	Вакуумная и твердотельная электроника	uk_UA
dc.title	Квантовая эффективность резонансного InGaAs/GaAs фотодетектора для сверхкоротких оптических соединений	uk_UA
dc.title.alternative	Квантова ефективність резонансного InGaAs/GaAs фотодетектора для надкоротких оптичних з’єднань	uk_UA
dc.title.alternative	Quantum efficiency of the InGaAs/GaAs resonant cavity enhanced photodetector for the ultrashort optical connection	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA
dc.identifier.udc	621.383.52