Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Моделирование СВЧ смесителей на основе резких p-n переходов

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Максимов, П.П.
dc.date.accessioned 2010-08-06T15:15:19Z
dc.date.available 2010-08-06T15:15:19Z
dc.date.issued 2008
dc.identifier.citation Моделирование СВЧ смесителей на основе резких p-n переходов / П.П. Максимов // Радіофізика та електроніка. — 2008. — Т. 13, № 3. — С. 529-534. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. uk_UA
dc.identifier.issn 1028-821X
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/10790
dc.description.abstract Моделируется смеситель СВЧ сигналов на основе резких лавинных Ge, Si и GaAs p-n переходов. В качестве математической модели используются уравнения диффузионно-дрейфовой модели (ДДМ) полупроводников. Решение уравнений ДДМ находится модифицированным методом встречных прогонок. Рассмотрен принцип работы смесителя. Установлена физическая природа искажений сигнала. Рассчитаны коэффициент усиления, амплитудная и частотная характеристики. Приведены спектр частот и фазы выходного сигнала Ge, Si и GaAs p-n переходов. uk_UA
dc.description.abstract Моделюється змішувач НВЧ сигналів на основі різких лавинних Ge, Si і GaAs p-n переходів. Як математична модель використовуються рівняння дифузійно-дрейфової моделі (ДДМ) напівпровідників. Рішення рівнянь ДДМ знаходиться модифікованим методом зустрічних прогонів. Розглянуто принцип роботи змішувача. Встановлено фізичну природу спотворень сигналу. Розраховані коефіцієнт посилення, амплітудна і частотна характеристики. Приведено спектр частот і фази вихідного сигналу Ge, Si і GaAs p-n переходів. uk_UA
dc.description.abstract The mixer of SHF signals is designed on the basis of abrupt avalanche Ge, Si and GaAs p-n junctions. As a mathematical model the equations of diffusive-drifting model (DDM) of semiconductors are used. The solution of equations of DDM is the modified method of the meeting driving away. The principle of mixer operation is considered. Physical nature of signal distortions is determined. An amplification factor, amplitude and frequency responses, have been calculated. The spectrum of frequencies and phases of output signal of Ge, Si and GaAs p-n junctions have been given. uk_UA
dc.description.sponsorship Автор выражает благодарность К. А. Лукину за плодотворные дискуссии и критические замечания, способствовавшие улучшению работы. uk_UA
dc.language.iso ru uk_UA
dc.publisher Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України uk_UA
dc.subject Радиофизика твердого тела и плазмы uk_UA
dc.title Моделирование СВЧ смесителей на основе резких p-n переходов uk_UA
dc.title.alternative Моделювання НВЧ змішувачів на основі різких p-n переходів uk_UA
dc.title.alternative Modeling of SHF mixerson the basis of abrupt p-n junctions uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA
dc.identifier.udc 53:621.382.029.6


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис