Термовольтаический эффект в гетероструктуре на основе SmS под давлением

Abstract

Рассмотрен термовольтаический эффект в объемной гетероструктуре на основе сульфида самария (SmS) с составом Sm1–xEuxS (0 ≤ x ≤ 1). Измерения произведены при температурах 300–450 K и давлениях до 500 MPa. Установлено, что величина эффекта уменьшается при воздействии давления. Влияние давления объясняется уменьшением энергетических зазоров между донорными уровнями и дном зоны проводимости в SmS, а также понижением концентрации примесных донорных уровней под действием давления.

Розглянуто термовольтаїчеський ефект в об’ємній гетероструктурі на основі сульфіду самарію (SmS) зі складом Sm1–xEuxS (0 ≤ х ≤ 1). Вимірювання проведені при температурах 300–450 K і тисках до 500 MPa. Встановлено, що величина ефекту зменшується при впливі тиску. Вплив тиску пояснюється зменшенням енергетичних зазорів між донорними рівнями і дном зони провідності в SmS, а також зниженням концентрації домішкових донорних рівнів під дією тиску.

The thermovoltaic effect in the bulk heterostructure on the basis of samarium sulfide (SmS) with composition Sm1–xEuxS (0 ≤ x ≤ 1) has been considered. The measurements were performed in the temperature range of 300–450 K and the pressure up to 500 MPa. It is shown that the magnitude of this effect decreases with pressure. The pressure effect is explained by the decrease in the energy gap between the donor levels and the bottom of the conduction band in SmS and reduction of the concentration of impurity donor levels under pressure.