Ґенерація дефектів поверхні Al(111) під впливом йонів Ar⁺ низької енергії

Abstract

У роботі детально вивчено дозову залежність ґенерації та відпалу точкових дефектів, індукованих бомбуванням поверхні монокристалу Al(111) йонами Ar⁺ з енергією 600 еВ у надвисокому вакуумі за допомогою методи дифракції повільних електронів. Показано можливість аналізи зміни інтенсивности дифракційних рефлексів повільних електронів безпосередньо в процесі йонного бомбування, що виключає ефект відпалу при подальшій витримці за кімнатної температури. На основі аналізи дифракційних рефлексів одержано значення енергії активації точкових дефектів.

В работе детально изучена дозовая зависимость генерации и отжига точечных дефектов, индуцированных бомбардировкой поверхности монокристалла Al(111) ионами Ar⁺ с энергией 600 эВ в сверхвысоком вакууме с помощью метода дифракции медленных электронов. Показана возможность анализа изменения интенсивности дифракционных рефлексов медленных электронов непосредственно в процессе ионной бомбардировки, что исключает эффект отжига при последующей выдержке при комнатной температуре. На основе анализа дифракционных рефлексов получены значения энергии активации точечных дефектов

Dose dependence of generation and annealing of point defects induced by the bombardment of Al(111) single-crystal surface by Ar⁺ ions with energy of 600 eV in extra-high vacuum is studied in detail using the method of low-energy electron diffraction. Possibility of analysis of changes in intensity of diffraction reflexes of slow electrons directly during ion bombardment that excludes annealing effect at subsequent holding at room temperature is shown. Based on analysis of diffraction reflexes, values of activation energy of point defects are obtained.