Ab initio розрахунок магнітної взаємодії крайової дислокації та домішки кисню в кремнії

Abstract

Методом функционала плотности в обобщённом градиентном приближении рассчитаны электронный спектр краевой дислокации в кристаллическом кремнии и электронный спектр сверхъячейки из 64 атомов Si, содержащей примесный атом кислорода в междоузельном положении.

Методом функціоналу густини в узагальненому ґрадієнтному наближенні розраховано електронний спектр крайової дислокації в кристалічному кремнії та електронний спектр надкомірки з 64 атомів кремнію, що містить домішковий атом кисню у міжвузловинному положенні.

Both the electronic spectrum of the edge dislocation in crystalline Si and the electronic spectrum of supercell with 64 Si atoms and one oxygen atom in the interstitial position are calculated, using the density functional theory within the generalized gradient approximation.