Формування металевої електропровідності у плівках вакуумних конденсатів металів

Abstract

Проаналізовано результати дослідження електронних явищ перенесення заряду в ультратонких плівках міді, золота, нікелю та паладію, нанесених методом замороженої конденсації на поверхні скла та сурфактантних підшарів ґерманію субатомної товщини. Підтверджено можливість керування лінійними розмірами кристалітів у площині, паралельній підложжю, за допомогою зміни масової товщини сурфактантних підшарів. Показано, що в електрично суцільних плівках міді та золота з товщиною, більшою за 5—6 нм, і в електрично суцільних плівках нікелю та паладію з товщинами від 4—5 нм зберігається електронна структура, аналогічна електронній структурі масивних металів.

Проанализированы результаты исследования электронных явлений переноса заряда в ультратонких плёнках меди, золота, никеля и палладия, нанесённых методом замороженной конденсации на поверхности стекла и сурфактантных подслоёв германия субатомной толщины. Подтверждена возможность управления линейными размерами кристаллитов в плоскости, параллельной подложке, за счёт изменения массовой толщины сурфактантных подслоёв. Показано, что в электрически сплошных плёнках меди и золота толщиной больше 5—6 нм и в электрически сплошных плёнках никеля и палладия с толщинами больше 4—5 нм сохраняется электронная структура, аналогичная электронной структуре массивных металлов.

The results of investigation of the electronic-transport phenomena in ultrathin copper, gold, nickel, and palladium films of subatomic thickness, which are deposited by frozen condensation on the surface of both glass and germanium surfactant sublayers, are analysed. The possibility of control of the crystallites’ linear sizes in the plane, which is parallel to the substrate, by changing of the thickness of surfactant sublayers is confirmed. The electronic structure of electrically continuous copper and gold films with the thickness of at least 5—6 nm and electrically continuous nickel and palladium films with the thickness of 4—5 nm or larger remain similar to the electronic structure of bulk metals.