Импеданс и эффективность генерации планарного диода с резонансно-туннельной границей на основе GaAs

Abstract

В данном исследовании рассматриваются электронные процессы в диодах с РТГ на основе GaAs, при условии, что РТГ ограничена по протяженности. Определяются зависимости активной и реактивной составляющих импеданса планарного диода с РТГ для реальных параметров диодов. Показано, что частотные возможности диода с РТГ существенно зависят от местоположения границы и эффективность генерации и частотный диапазон уменьшаются при перемещении РТГ к аноду.

У даному дослідженні розглядаються електронні процеси в діодах з РТМ на основі GaAs, за умови, що РТМ обмежена по протяжності. Визначаються залежності активної і реактивної складових імпедансу планарного діоду з РТМ для реальних параметрів діодів. Показано, що частотні можливості діоду з РТМ істотно залежать від місця розташування межі і ефективність генерації та частотний діапазон зменшуються при переміщенні РТМ до аноду.

In this study electronic processes in diodes with a resonant tunneling boundary based on GaAs are considered, provided that the resonant tunneling is limited by the length of the boundary. Dependences of the active and reactive components of the impedance of a planar diode with resonant tunneling boundaries for the real diode parameters are determined. It is shown that the frequency possibilities of the diode with resonant tunneling boundaries depend strongly on the location of the boundary. It is shown that the efficiency of generation and the frequency range are reduced by moving the resonant-tunneling boundary to the anode.