Резонансные частоты диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых нитридов

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізики і астрономії
→
Радіофізика та електроніка
→
Радіофізика та електроніка, 2012 (том 3(17))
→
Радіофізика та електроніка, 2012, № 3
→
Переглянути статтю

dc.contributor.author	Стороженко, И.П.
dc.date.accessioned	2016-09-12T19:09:48Z
dc.date.available	2016-09-12T19:09:48Z
dc.date.issued	2012
dc.identifier.citation	Резонансные частоты диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых нитридов / И.П. Стороженко // Радіофізика та електроніка. — 2012. — Т. 3(17), № 3. — С. 79-82. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	1028-821X
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/105899
dc.description.abstract	Изучен дрейф доменов и колебания тока в приборах на основе варизонных полупроводниковых нитридов InGaN, AlGaN, AlInN, InBN, GaBN и AlBN. Показано, что применение варизонных полупроводников позволяет увеличить ширину рабочего диапазона частот диодов Ганна. Проведен обзор варизонных полупроводников А3В5 с подобным эффектом.	uk_UA
dc.description.abstract	Вивчено дрейф доменів і коливання струму в приладах на основі варизонних напівпровідникових нітридів InGaN, AlGaN, AlInN, InBN, GaBN і AlBN. Показано, що застосування варизонних напівпровідників дозволяє збільшити ширину робочого діапазону частот діодів Ганна. Проведено огляд варизонних напівпровідників А3В5 з подібним ефектом.	uk_UA
dc.description.abstract	The drifting domain and current oscillations in devices based on graded-gap semiconductors are studied. It is shown that the use of graded-gap semiconductors can increase the width of the working frequency of Gunn diodes. The review of graded-gap semiconductors A3B5 having a similar effect is given.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Радіофізика та електроніка
dc.subject	Вакуумная и твердотельная электроника	uk_UA
dc.title	Резонансные частоты диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых нитридов	uk_UA
dc.title.alternative	Резонансні частоти діодів Ганна на основі варизонних напівпровідникових нітридів	uk_UA
dc.title.alternative	Resonance frequencies of Gunn diodes based on nitride graded-gap semiconductors	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA
dc.identifier.udc	621.382.2