Моделирование процессов диффузии и упорядочения в тонкоплёночной системе Au/Cu методом кинетики среднего поля

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізики і астрономії
→
Металлофизика и новейшие технологии
→
Металлофизика и новейшие технологии, 2013 (том 35)
→
Металлофизика и новейшие технологии, 2013 (том 35), № 02
→
Переглянути статтю

dc.contributor.author	Сидоренко, С.И.
dc.contributor.author	Волошко, С.М.
dc.contributor.author	Замулко, С.А.
dc.contributor.author	Тинькова, А.А.
dc.date.accessioned	2016-07-01T09:07:09Z
dc.date.available	2016-07-01T09:07:09Z
dc.date.issued	2013
dc.identifier.citation	Моделирование процессов диффузии и упорядочения в тонкоплёночной системе Au/Cu методом кинетики среднего поля / С.И. Сидоренко, С.М. Волошко, С.А. Замулко, А.А. Тинькова // Металлофизика и новейшие технологии. — 2013. — Т. 35, № 2. — С. 175-185. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	1024-1809
dc.identifier.other	PACS numbers: 68.35.Fx, 68.55.Nq, 81.05.Bx, 81.05.Zx, 81.15.Aa, 82.20.Wt
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/104074
dc.description.abstract	Рассмотрены возможности использования метода кинетики среднего поля для компьютерного моделирования диффузионных процессов в тонкоплёночной системе Au/Cu. Показано взаимное влияние диффузионной асимметрии, упорядочения и анизотропии. Полученные результаты позволяют проанализировать кинетику движения интерфейса, концентрационное распределение диффузантов, толщину и скорость роста упорядоченной фазы, приоритетные направления диффузии.	uk_UA
dc.description.abstract	Розглянуто можливості використання методу кінетики середнього поля для комп’ютерного моделювання дифузійних процесів у тонкоплівковій системі Au/Cu. Показано взаємний вплив дифузійної асиметрії, впорядкування та анізотропії. Одержані результати дозволяють проаналізувати кінетику руху інтерфейсу, концентраційні розподіли дифузантів, товщину та швидкість росту впорядкованої фази, пріоритетні напрямки дифузії.	uk_UA
dc.description.abstract	Possibilities of applying of the mean-field kinetics method to simulations of diffusion processes in thin-film system are considered. Mutual influence of diffusion asymmetry, ordering, and anisotropy is shown. The results of simulation allow analyzing kinetics of diffusion interface shifting, the concentration distribution of diffusants, ordered-phase thickness and growth rate, and priority directions of diffusion.	uk_UA
dc.description.sponsorship	Выражаем благодарность проф. Д. Беке (кафедра физики твердого тела, Университет Дебрецена, Венгрия) за полезные консультации при обсуждении результатов моделирования	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Металлофизика и новейшие технологии
dc.subject	Металлические поверхности и плёнки	uk_UA
dc.title	Моделирование процессов диффузии и упорядочения в тонкоплёночной системе Au/Cu методом кинетики среднего поля	uk_UA
dc.title.alternative	Simulations of Diffusion and Ordering Processes in Au/Cu Thin Film System by Mean Field Kinetics Method	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA