Формирование никель-платинового силицидного слоя в качестве барьерного для диода Шоттки

Abstract

Предложен новый метод формирования барьера Шоттки, который включает магнетронное нанесение из многокомпонентной мишени, содержащей ванадий, платину и никель, тонкой пленки на кремнии с последующей ступенчатой термообработкой. С использованием данного метода изготовлены диоды Шоттки с высотой барьера 0,69—0,71 В. Установлено, что барьерный слой состоит из силицидной фазы Ni1-xPtxSi.

Запропоновано новий метод формування бар’єра Шоттки, який включає магнетронне нанесення з многокомпонентної мішені, що має в складі ванадій, платину та нікель, тонкої плівки на кремнії з наступною ступеневою термообробкою. З використанням данного методу виготовлено діоди Шоттки з высотою бар’єру 0,69—0,71 В. Встановлено, що бар’ерний шар складається з сіліцидної фази Ni1-xPtxSi.

A new method of forming a Schottky barrier, including a magnetron deposition of thin compound metal films (Pt, Ni and V) on silicon and a subsequent heat treatment step, was proposed. Using this method Schottky diodes were fabricated with a barrier height from 0,69 to 0,71 V. It was found that the barrier layer consists of Ni1-xPtxSi silicide phase.