Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Исследование удельного сопротивления омических контактов Au—Ti—Pd—n-Si для лавинно-пролетных диодов

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Басанец, В.В.
dc.contributor.author Слепокуров, В.С.
dc.contributor.author Шинкаренко, В.В.
dc.contributor.author Кудрик, Р.Я.
dc.contributor.author Кудрик, Я.Я.
dc.date.accessioned 2016-05-22T14:24:41Z
dc.date.available 2016-05-22T14:24:41Z
dc.date.issued 2015
dc.identifier.citation Исследование удельного сопротивления омических контактов Au—Ti—Pd—n-Si для лавинно-пролетных диодов / В.В. Басанец, В.С. Слепокуров, В.В. Шинкаренко, Р.Я. Кудрик, Я.Я. Кудрик // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2015. — № 1. — С. 33-37. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. uk_UA
dc.identifier.issn 2225-5818
dc.identifier.other DOI: 10.15222/TKEA2015.1.33
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/100476
dc.description.abstract Исследовано удельное сопротивление омического контакта Au—Ti—Pd—n-Si и механизм токопереноса в интервале температур 100—360 К. Предложен способ уменьшения погрешности определения удельного контактного сопротивления на основе анализа статистических зависимостей измеренных величин. Измеренные значения удельного контактного сопротивления лежат в диапазоне (0,9—2)•10⁻⁵ Ом•см². При использовании температурной зависимости удельного контактного сопротивления установлено, что в омическом контакте с высотой барьера 0,22 эВ в температурном диапазоне 100—200 К преобладает полевой механизм токопереноса, в диапазоне 200—360 К — термополевой с энергией активации примерно 0,08 эВ. uk_UA
dc.description.abstract Досліджено питомий опір омічного контакту Au—Ti—Pd—n-Si і механізм струмопротікання в інтервалі температур 100—360 К. Запропоновано спосіб зменшення похибки визначення питомого контактного опору на основі аналізу статистичних залежностей виміряних величин. Виміряні значення питомого контактного опору знаходяться в діапазоні (0,9—2,0)∙10⁻⁵ Ом∙см². На основі температурної залежності питомого контактного опору встановлено, що в омічному контакті з висотою бар'єру 0,22 еВ в температурному діапазоні 100—200 К переважає польовий механізм струмопротікання, в діапазоні 200—360 К — термопольовий з енергією активації 0,08 еВ. uk_UA
dc.description.abstract Both contact resistivity of Au—Ti—Pd—n-Si ohmic contact and mechanism of current flow are studied in the 100—360 K temperature range. A method is proposed for reduction of error in determination of contact resistivity based on analysis of statistical dependences of the measured contact resistivity values (which are in the range of (0.9—2)•10⁻⁵ Ω•cm²). On the basis of the contact resistivity temperature dependence, it is found for an ohmic contact with barrier height of 0.22 eV that the field mechanism of current flow is predominant in the 100—200 K temperature range, while thermal-field emission with activation energy of 0.08 eV is predominant in the 200—360 K temperature range. uk_UA
dc.language.iso ru uk_UA
dc.publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject Функциональная микро- и наноэлектроника uk_UA
dc.title Исследование удельного сопротивления омических контактов Au—Ti—Pd—n-Si для лавинно-пролетных диодов uk_UA
dc.title.alternative Дослідження питомого опору омічних контактів Au—Ti—Pd—n-Si для лавинно-пролітних діодів uk_UA
dc.title.alternative Investigation of contact resistivity for Au—Ti—Pd—n-Si ohmic contacts for impatt diodes uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA
dc.identifier.udc 538.91


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис