Влияние параметров ВЧ-разряда и параметров нагревателя на температуру подложки в плазмохимическом реакторе «Алмаз» для синтеза углеродных алмазоподобных пленок

Abstract

Представлены результаты исследований влияния на температуру подложки параметров высокочастотного разряда в плазмохимическом реакторе «Алмаз», разработанном и изготовленном в Институте ядерных исследований. Определено время выхода на равновесную температуру подложки при различных параметрах ВЧ-разряда и параметрах основного нагревателя. Установлено, что в условиях данного исследования при температурах подложки выше 600°С влияние ВЧ-разряда на повышение ее температуры практически отсутствует.

Досліджено вплив на температуру підкладки параметрів ВЧ-розряду в плазмохімічному реакторі «Алмаз», розробленому і виготовленому в Інституті ядерних досліджень. Встановлено час виходу на рівноважне значення температури підкладки при різних параметрах ВЧ-розряду та параметрах основного нагрівача. Встановлено, що в умовах даного дослідження при температурах підкладки вище 600°С вплив ВЧ-розряду на підвищення її температури практично відсутній.

The paper presents the research results on the device for obtaining diamond-like films from gas phase, constructed and tested in the Institute for Nuclear Research of the National Academy of Sciences. From the obtained results, the authors determine the time period for establishing of equilibrium substrate temperature at different HF discharge and main heater parameters. HF discharges, in the conditions of this study, at substrate temperatures above 600°C have virtually no influence on the temperature rise of the substrate. In addition, a new heater is proposed in order to increase the attainable temperature and reduce the time for establishing the equilibrium substrate temperature.