Показати простий запис статті
dc.contributor.author |
Стороженко, И.П. |
|
dc.contributor.author |
Прохоров, Э.Д. |
|
dc.contributor.author |
Боцула, О.В. |
|
dc.date.accessioned |
2016-05-21T21:02:48Z |
|
dc.date.available |
2016-05-21T21:02:48Z |
|
dc.date.issued |
2006 |
|
dc.identifier.citation |
GaAs диоды Ганна с AlAs-GaAs-AlAs резонансно туннельным катодом / И.П. Стороженко, Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула // Радиофизика и радиоастрономия. — 2006. — Т. 11, № 4. — С. 385-396. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
uk_UA |
dc.identifier.issn |
1027-9636 |
|
dc.identifier.uri |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/100448 |
|
dc.description.abstract |
На основе двухтемпературной модели междолинного переноса электронов в GaAs разработана методика исследования диодов Ганна с туннельной инжекцией электронов из катодного контакта. Изучены физические явления, связанные с эффектами междолинного переноса электронов в активной области и резонансного туннелирования в n:GaAs-i:AlAs-n:GaAs-i:AlAs-n:GaAs катодной области диода. Показано, что GaAs диоды Ганна с AlAs-GaAs-AlAs резонансно туннельным катодом могут иметь три разнесенные по напряжению зоны генерации колебаний мм-диапазона. Определены вольт-амперные, энергетические и частотные характеристики диодов с разной длиной i:AlAs слоев и площадью сечения катодного контакта. |
uk_UA |
dc.description.abstract |
The technique for studying the Gunn diodes with electron tunneling injection from a cathode contact has been developed by employing the two-temperature model of intervalley electron transfer in GaAs. Physical phenomena related to the effects of intervalley electron transfer in the diode active region and resonance electron tunneling in n:GaAs-i:AlAs-n:GaAs-i:AlAs-n:GaAs diode cathode region are studied. It is shown that the GaAs Gunn diodes with AlAs-GaAs-AlAs resonance tunnel cathode may have three voltage-spaced zones of millimeter wavelength oscillation. The voltage-current, power and frequency characteristics are found for the diodes with different lengths of i:AlAs layers and cross-sectional areas of a cathode contact. |
uk_UA |
dc.language.iso |
ru |
uk_UA |
dc.publisher |
Радіоастрономічний інститут НАН України |
uk_UA |
dc.relation.ispartof |
Радиофизика и радиоастрономия |
|
dc.subject |
Физические основы электронных приборов |
uk_UA |
dc.title |
GaAs диоды Ганна с AlAs-GaAs-AlAs резонансно туннельным катодом |
uk_UA |
dc.title.alternative |
GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode |
uk_UA |
dc.type |
Article |
uk_UA |
dc.status |
published earlier |
uk_UA |
dc.identifier.udc |
621.382.2 |
|
Файли у цій статті
Ця стаття з'являється у наступних колекціях
Показати простий запис статті