Исследовано влияние фоновой примеси кислорода и суммарной концентрации примесей на время жизни неравновесных носителей заряда (ННЗ) в монокристаллах кремния, выращенных методом Чохральского и предназначенных для использования в солнечной энергетике. Рассмотрен вопрос распределения концентрации кислорода и времени жизни ННЗ по длине монокристалла.
The effect of background impurity of oxygen and total concentration of impurities on life of non-equilibrium carriers of charge (NCC) in silicon single crystals grown by the method of Czochralski and designed for use in solar power engineering was studied. Problem of distribution of oxygen concentration and NCC life in the single crystal length was studied.