Кинетические коэффициенты в поле ИК-подсветки n-Si, облучённого быстрыми нейтронами реактора

Abstract

Рассчитана температурная зависимость кинетических коэффициентов, измеренных в темноте и при ИК-подсветке за краем собственного поглощения Ge- и Si-фильтров, и описано поведение подвижности электронов в высокоомном кремнии, выращенном методом бестигельной зонной плавки, после облучения быстрыми нейтронами реактора. В рамках уточненной модели кластеров дефектов рассчитана температурная зависимость концентрации электронов и дрейфовых барьеров при их диффузном движении в образцах кремния. Обосновано, что дивакансии в кластерах дефектов находятся в конфигурации с большей дисторсией.

Розрахована температурна залежність кінетичних коефіцієнтів, виміряних у темряві і при ІЧ-підсвічуванні за краєм власного поглинання Ge- і Si-фільтрів, і описано поведінку рухливості електронів у високоомному кремнії, вирощеному методом безтигельної зонної плавки, після опромінення швидкими нейтронами реактора. У рамках уточненої моделі кластерів дефектів розрахована температурна залежність концентрації електронів і дрейфових бар'єрів при їх дифузному русі в зразках кремнію. Обгрунтовано, що дивакансії в кластерах дефектів знаходяться в конфігурації з більшою дисторсією.

The temperature dependence of kinetic coefficients measured in darkness and in the IR-illumination from the edge of the intrinsic absorption Ge and Si filters and the description of the behavior of electron mobility in a high-resistance silicon grown by the method of non-crucible zone melting, after irradiation fast neutron reactor was calculated. In the framework of the improved model of cluster defects the temperature dependence of the electron concentration and the drift barriers in their diffuse movement in the silicon samples has been carried out. It is proofs that the main defects in clusters are divacancy configuration with more distortion.