Методами диференційного термічного (ДТА) та рентгенівського (РФА) аналізів уточнено діаграму стану системи Tl₂Se—SnSe. Встановлено, що в даній системі утворюються дві тернарні сполуки: Tl₄SnSe₃, що плавиться конгруентно при 706 К, і Tl₂Sn2Se₃, яка утворюється за перитектичною реакцією L + нтм-SnSe ↔ Tl₂Sn2Se₃ при 683 К і твердофазно розкладається (Tl₂Sn2Se₃ ↔ Tl₄SnSe₃ + нтм-SnSe) при 640 К. Одержано монокристали сполуки Tl₄SnSe₃ і досліджено деякі їх фізико-хімічні та електрофізичні властивості. Встановлено, що вони характеризуються високими показниками коефіцієнтa термо-ЕРС.
Методами дифференциального термического (ДТА) и рентгеновского (РФА) анализов уточнена диаграмма состояния системы Tl₂Se—SnSe. Установлено, что в данной системе образуются два тройных соединения: Tl₄SnSe₃, которое плавится конгруэнтно при 706 К, а также Tl₂Sn2Se₃, образующееся по перитектической реакции L + нтм-SnSe ↔ Tl₂Sn2Se₃ при 683 К и твердофазно разлагается (Tl₂Sn2Se₃ ↔ Tl₄SnSe₃ + нтм-SnSe) при 640 К. Получены монокристаллы соединения Tl₄SnSe₃ и изучены некоторые их физико-химические и электрофизические свойства. Установлено, что они характеризируются высокими показателями коэффициента термо-ЭДС.
The Tl₂Se—SnSe phase diagram were reexamined by differential thermal analysis (DTA) and Xray powder diffraction (XRD). Two compounds were established in the system. Tl₄SnSe₃ melting congruently at 706 K. Tl₂Sn2Se₃ formed by a peritectic reaction at 683 K and destructed in solid at 640 K. The Tl₄SnTe3 single crystals were obtained by Bridgman technique. Some physicalchemical and electrophysical properties of them were investigated. The high Seeback coefficients of crystals were established.